| 摘要 | 第4-7页 |
| Abstract | 第7-10页 |
| 1 绪论 | 第13-36页 |
| 1.1 引言 | 第13-14页 |
| 1.2 纳米结构ZnO光电探测器研究进展 | 第14-26页 |
| 1.3 石墨烯/ZnO基复合材料在光电探测方面的研究进展 | 第26-34页 |
| 1.4 本文主要研究目的及内容 | 第34-36页 |
| 2 ZnO纳米晶的合成及其光电探测性能研究 | 第36-52页 |
| 2.1 引言 | 第36页 |
| 2.2 纳米结构ZnO的光响应机理 | 第36-38页 |
| 2.3 溶剂热法合成ZnO纳米晶及其表征 | 第38-45页 |
| 2.4 ZnO纳米晶薄膜的光电探测性能研究 | 第45-48页 |
| 2.5 低温退火对ZnO纳米晶光电探测性能的影响 | 第48-51页 |
| 2.6 本章小结 | 第51-52页 |
| 3 基于低温退火的GO/ZnO纳米复合材料及光电探测性能研究 | 第52-65页 |
| 3.1 引言 | 第52页 |
| 3.2 GO/ZnO纳米复合材料的制备及表征 | 第52-57页 |
| 3.3 GO/ZnO纳米复合材料的低温退火及其微结构变化 | 第57-60页 |
| 3.4 低温退火对GO/ZnO纳米复合材料光电探测性能的影响 | 第60-63页 |
| 3.5 本章小结 | 第63-65页 |
| 4 GO/ZnO纳米复合材料的缺陷调控及其光电探测性能研究 | 第65-81页 |
| 4.1 引言 | 第65-66页 |
| 4.2 气氛退火调控ZnO纳米晶的缺陷 | 第66-70页 |
| 4.3 退火气氛对ZnO纳米晶薄膜光电探测性能的影响 | 第70-72页 |
| 4.4 气氛退火调控GO/ZnO纳米复合材料的缺陷 | 第72-77页 |
| 4.5 退火气氛对GO/ZnO纳米复合材料薄膜光电探测性能的影响 | 第77-79页 |
| 4.6 本章小结 | 第79-81页 |
| 5 GO诱导ZnO纳米棒阵列生长机理及光电探测性能研究 | 第81-97页 |
| 5.1 引言 | 第81页 |
| 5.2 ZnO纳米棒阵列的制备及其光电探测性能研究 | 第81-85页 |
| 5.3 GO对ZnO纳米棒的导向生长及其光电探测性能的研究 | 第85-92页 |
| 5.4 GO含量对纳米棒阵列生长特性及其光电探测性能的影响 | 第92-95页 |
| 5.5 本章小结 | 第95-97页 |
| 6 基于多层结构的高光谱选择性GO/ZnO光电探测器 | 第97-108页 |
| 6.1 引言 | 第97-98页 |
| 6.2 ZnO/GO-ZnO纳米棒阵列光电探测器的光谱选择性研究 | 第98-103页 |
| 6.3 ZnO/rGO-ZnO薄膜光电探测器的光谱选择性研究 | 第103-107页 |
| 6.4 本章小结 | 第107-108页 |
| 7 总结与展望 | 第108-112页 |
| 7.1 论文主要研究内容总结 | 第108-110页 |
| 7.2 论文主要创新点 | 第110-111页 |
| 7.3 对进一步研究的展望 | 第111-112页 |
| 致谢 | 第112-114页 |
| 参考文献 | 第114-133页 |
| 附录1 攻读博士学位期间发表论文目录 | 第133-134页 |
