| 中文摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第14-24页 |
| 1.1 引言 | 第14页 |
| 1.2 二维材料的研究现状 | 第14-21页 |
| 1.2.1 石墨烯 | 第15-16页 |
| 1.2.2 硅烯 | 第16-17页 |
| 1.2.3 过渡金属硫族化合物二维材料(TMDs) | 第17-19页 |
| 1.2.4 磷烯 | 第19-20页 |
| 1.2.5 Tl_2S二维材料 | 第20-21页 |
| 1.3 二维范德瓦尔斯异质结 | 第21-22页 |
| 1.4 本文主要内容 | 第22-24页 |
| 2 研究方法 | 第24-28页 |
| 2.1 计算物理学 | 第24页 |
| 2.2 密度泛函理论(density functional theory) | 第24-26页 |
| 2.2.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第25页 |
| 2.2.2 Kohn-Sham方程 | 第25-26页 |
| 2.3 交换关联能泛函的近似表达形式 | 第26-27页 |
| 2.3.1 局域密度近似(LDA) | 第26页 |
| 2.3.2 广义梯度近似(GGA) | 第26-27页 |
| 2.4 计算软件 | 第27-28页 |
| 3 4d过渡金属掺杂对磷烯电子性能和磁性的调控 | 第28-58页 |
| 3.1 4d过渡金属对磷烯取代掺杂 | 第28-42页 |
| 3.1.1 研究背景 | 第28-29页 |
| 3.1.2 计算方法 | 第29-30页 |
| 3.1.3 结果和讨论 | 第30-41页 |
| 3.1.4 本节小结 | 第41-42页 |
| 3.2 4d过渡金属对磷烯吸附掺杂 | 第42-55页 |
| 3.2.1 背景简介 | 第42-43页 |
| 3.2.2 计算方法 | 第43页 |
| 3.2.3 结果与讨论 | 第43-54页 |
| 3.2.4 本节结论 | 第54-55页 |
| 3.3 本章小结 | 第55-58页 |
| 4 过渡金属取代掺杂的Tl_2S的电子结构及磁性的研究 | 第58-78页 |
| 4.1 3d过渡金属取代掺杂Tl_2S | 第58-69页 |
| 4.1.1 背景介绍 | 第58-59页 |
| 4.1.2 计算方法 | 第59-60页 |
| 4.1.3 结果与讨论 | 第60-68页 |
| 4.1.4 本节小结 | 第68-69页 |
| 4.2 4d过渡金属取代掺杂Tl_2S | 第69-75页 |
| 4.2.1 研究背景 | 第69页 |
| 4.2.2 计算参数设置 | 第69-70页 |
| 4.2.3 结果与讨论 | 第70-75页 |
| 4.2.4 本节结论 | 第75页 |
| 4.3 本章结论 | 第75-78页 |
| 5 BP/Tl_2S异质结和具有过渡金属插层的性能研究 | 第78-94页 |
| 5.1 背景简介 | 第78-79页 |
| 5.2 计算方法 | 第79页 |
| 5.3 结果和讨论 | 第79-91页 |
| 5.4 本章小结 | 第91-94页 |
| 6 结论与展望 | 第94-96页 |
| 6.1 结论 | 第94-95页 |
| 6.2 展望 | 第95-96页 |
| 参考文献 | 第96-106页 |
| 博士期间发表的论文 | 第106-108页 |
| 致谢 | 第108页 |
