摘要 | 第5-6页 |
Abstract | 第6页 |
第1章 绪论 | 第11-21页 |
1.1 课题背景 | 第11-12页 |
1.2 光催化技术 | 第12-13页 |
1.2.1 光催化技术简介 | 第12页 |
1.2.2 半导体光催化原理与材料 | 第12-13页 |
1.3 Cu_2O半导体材料 | 第13-15页 |
1.3.1 Cu_2O的基本性质 | 第13-14页 |
1.3.2 Cu_2O的制备方法 | 第14-15页 |
1.4 提高Cu_2O光催化活性方法 | 第15-17页 |
1.4.1 半导体复合 | 第16页 |
1.4.2 离子掺杂 | 第16页 |
1.4.3 贵金属修饰 | 第16-17页 |
1.4.4 相貌尺寸调控 | 第17页 |
1.5 Cu_2O半导体材料的研究进展 | 第17-18页 |
1.6 石墨烯的概述 | 第18页 |
1.7 类石墨相氮化碳的概述 | 第18-19页 |
1.8 本论文主要研究内容 | 第19-21页 |
第2章 实验部分 | 第21-27页 |
2.1 实验药品与仪器 | 第21-22页 |
2.2 实验内容 | 第22-24页 |
2.2.1 Cu_2O制备 | 第22-23页 |
2.2.2 还原氧化石墨烯(RGO)制备 | 第23页 |
2.2.3 Cu_2O/RGO复合粉体的制备 | 第23-24页 |
2.2.4 石墨相氮化碳(g-C_3N_4)制备 | 第24页 |
2.2.5 Cu_2O/g-C_3N_4复合物的制备 | 第24页 |
2.3 样品表征 | 第24-25页 |
2.3.1 XRD表征 | 第24页 |
2.3.2 透射电子显微镜(TEM)表征 | 第24页 |
2.3.3 场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)表征 | 第24-25页 |
2.3.4 EDS分析 | 第25页 |
2.3.5 紫外-可见漫反射光谱(UV) | 第25页 |
2.3.6 荧光光谱 | 第25页 |
2.4 材料的性能表征 | 第25-27页 |
2.4.1 光催化降解甲基橙实验 | 第25-26页 |
2.4.2 样品重复性的测试 | 第26-27页 |
第3章 氧化亚铜的制备及光催化性能的研究 | 第27-39页 |
3.1 不同还原剂制备Cu_2O粉体的表征 | 第27-30页 |
3.1.1 XRD表征分析 | 第27-28页 |
3.1.2 形貌分析 | 第28-29页 |
3.1.3 不同还原剂制备出的Cu_2O材料光催化性能 | 第29-30页 |
3.2 以抗坏血酸为还原剂制备不同形貌Cu_2O材料 | 第30-36页 |
3.2.1 XRD分析 | 第30-31页 |
3.2.2 SEM分析 | 第31-32页 |
3.2.3 TEM分析 | 第32-33页 |
3.2.4 PVP控制形貌机理 | 第33页 |
3.2.5 不同形貌Cu_2O材料光催化性能 | 第33-34页 |
3.2.6 不同形貌Cu_2O材料降解甲基橙溶液的动力学分析 | 第34-35页 |
3.2.7 循环实验 | 第35-36页 |
3.3 本章小结 | 第36-39页 |
第4章 氧化亚铜基二元复合材料的制备及光催化性能的研究 | 第39-55页 |
4.1 Cu_2O/RGO复合材料的表征 | 第39-46页 |
4.1.1 XRD表征 | 第39-40页 |
4.1.2 形貌分析 | 第40-41页 |
4.1.3 PL光谱分析 | 第41-42页 |
4.1.4 UV分析 | 第42-43页 |
4.1.5 不同含量的RGO与Cu_2O复合粉体光催化性能分析 | 第43-44页 |
4.1.6 不同含量RGO与Cu_2O光催化性能动力学研究 | 第44-45页 |
4.1.7 机理解释 | 第45页 |
4.1.8 循环实验 | 第45-46页 |
4.2 不同含量g-C_3N_4与Cu_2O复合材料的表征 | 第46-53页 |
4.2.1 XRD表征分析 | 第46-47页 |
4.2.2 形貌分析 | 第47-48页 |
4.2.3 PL分析 | 第48-49页 |
4.2.4 UV分析 | 第49页 |
4.2.5 不同含量g-C_3N_4与Cu_2O复合的光催化性能 | 第49-50页 |
4.2.6 不同含量g-C_3N_4与Cu_2O复合的光催化性能动力学研究 | 第50-51页 |
4.2.7 反应机理 | 第51-52页 |
4.2.8 循环性测试 | 第52-53页 |
4.3 本章小结 | 第53-55页 |
结论 | 第55-57页 |
参考文献 | 第57-65页 |
攻读硕士学位期间承担的科研任务与主要成果 | 第65-67页 |
致谢 | 第67页 |