| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 研究背景 | 第10-12页 |
| 1.1.1 单片集成智能功率芯片简介 | 第10-11页 |
| 1.1.2 快恢复二极管在单片集成智能功率芯片中的应用 | 第11-12页 |
| 1.2 国内外研究现状和总结 | 第12-15页 |
| 1.2.1 国内外研究现状 | 第12-14页 |
| 1.2.2 国内外研究总结 | 第14-15页 |
| 1.3 主要研究内容和设计指标 | 第15-16页 |
| 1.3.1 主要研究内容 | 第15页 |
| 1.3.2 设计指标 | 第15-16页 |
| 1.4 论文组织结构 | 第16-18页 |
| 第二章 厚膜SOI快恢复二极管的工作原理 | 第18-32页 |
| 2.1 厚膜SOI快恢复二极管的结构特点 | 第18页 |
| 2.2 厚膜SOI快恢复二极管的耐压原理 | 第18-22页 |
| 2.2.1 碰撞电离和雪崩击穿 | 第18-20页 |
| 2.2.2 横向电场分布 | 第20-21页 |
| 2.2.3 纵向电场分布 | 第21-22页 |
| 2.3 厚膜SOI快恢复二极管的正向导通原理 | 第22-25页 |
| 2.4 厚膜SOI快恢复二极管的反向恢复过程 | 第25-30页 |
| 2.4.1 PIN二极管的反向恢复模型 | 第25-28页 |
| 2.4.2 厚膜SOI快恢复二极管的反向恢复过程 | 第28-29页 |
| 2.4.3 振荡和反向恢复软度因子 | 第29-30页 |
| 2.5 本章小结 | 第30-32页 |
| 第三章 传统厚膜SOI快恢复二极管特性研究 | 第32-46页 |
| 3.1 传统厚膜SOI快恢复二极管的特性研究 | 第32-37页 |
| 3.1.1 传统厚膜SOI快恢复二极管基本结构 | 第32页 |
| 3.1.2 传统厚膜SOI快恢复二极管的耐压能力 | 第32-34页 |
| 3.1.3 传统厚膜SOI快恢复二极管的正向导通 | 第34-35页 |
| 3.1.4 传统厚膜SOI快恢复二极管反向恢复特性 | 第35-37页 |
| 3.2 影响厚膜SOI快恢复二极管反向恢复速度的因素 | 第37-41页 |
| 3.2.1 漂移区长度 | 第37-39页 |
| 3.2.2 空穴注入效率 | 第39页 |
| 3.2.3 正向导通电流密度 | 第39-41页 |
| 3.3 常见快恢复技术仿真研究 | 第41-45页 |
| 3.3.1 深氧化物沟槽技术 | 第41-42页 |
| 3.3.2 肖特基技术 | 第42-44页 |
| 3.3.3 自调节发射效率技术 | 第44-45页 |
| 3.4 本章小结 | 第45-46页 |
| 第四章 550V厚膜SOI多沟槽快恢复二极管的设计 | 第46-60页 |
| 4.1 厚膜SOI多沟槽快恢复二极管结构 | 第46-47页 |
| 4.2 耐压能力设计 | 第47-50页 |
| 4.3 正向导通压降设计 | 第50-52页 |
| 4.4 反向恢复速度设计 | 第52-56页 |
| 4.4.1 厚膜SOI多沟槽快恢复二极管的反向恢复过程 | 第52-54页 |
| 4.4.2 多沟槽设计对器件反向恢复速度的研究 | 第54-56页 |
| 4.5 多沟槽快恢复二极管抗振荡能力的研究 | 第56-59页 |
| 4.6 本章小结 | 第59-60页 |
| 第五章 550V厚膜SOI多沟槽快恢复二极管的实现和测试 | 第60-66页 |
| 5.1 厚膜SOI多沟槽快恢复二极管的工艺流程 | 第60-62页 |
| 5.2 厚膜SOI多沟槽快恢复二极管的版图 | 第62-63页 |
| 5.3 厚膜SOI多沟槽快恢复二极管的测试 | 第63-65页 |
| 5.3.1 耐压能力测试 | 第63页 |
| 5.3.2 正向导通压降测试 | 第63-64页 |
| 5.3.3 反向恢复特性测试 | 第64-65页 |
| 5.4 本章小结 | 第65-66页 |
| 第六章 总结与展望 | 第66-68页 |
| 6.1 总结 | 第66-67页 |
| 6.2 展望 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-74页 |
| 攻读硕士学位期间的成果和发表的论文 | 第74页 |
