| 中文摘要 | 第3-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 1 绪论 | 第13-53页 |
| 1.1 纳米离子学 | 第13-20页 |
| 1.1.1 纳米离子学的简介 | 第13-14页 |
| 1.1.2 纳米离子学的应用前景 | 第14-20页 |
| 1.2 电场控制离子输运与纳米通道的构建与调控 | 第20-42页 |
| 1.2.1 离子的类型 | 第20-26页 |
| 1.2.2 离子的输运通道 | 第26-30页 |
| 1.2.3 离子的电化学反应过程 | 第30-34页 |
| 1.2.4 纳米通道的成分、形状、尺寸及其调控 | 第34-42页 |
| 1.3 电场控制离子输运与原子点接触结构的构建与调控 | 第42-51页 |
| 1.3.1 离子输运与原子点接触结构的构建 | 第43-46页 |
| 1.3.2 离子输运与原子点接触结构的调控 | 第46-49页 |
| 1.3.3 原子点接触结构的应用 | 第49-51页 |
| 1.4 本论文的研究内容和意义 | 第51-53页 |
| 2 原子点接触结构的可控构建、调控与量子化电导 | 第53-79页 |
| 2.1 前言 | 第53-54页 |
| 2.2 样品的制备与表征 | 第54-56页 |
| 2.2.1 样品的制备 | 第54-55页 |
| 2.2.2 样品的表征 | 第55-56页 |
| 2.3 构建原子点接触结构的物理本质 | 第56-58页 |
| 2.4 原子点接触结构的设计和量子化电导 | 第58-71页 |
| 2.4.1 Pt/HfO_x/ITO薄膜器件的电导量子化行为 | 第60-61页 |
| 2.4.2 量子化电导的连续调控及其调控规律 | 第61-68页 |
| 2.4.3 量子电导态的抗疲劳性、时间保持性和温度稳定性 | 第68-70页 |
| 2.4.4 原子点接触结构的构型、成分和位置 | 第70-71页 |
| 2.5 量子电导态的逻辑演示 | 第71-78页 |
| 2.6 本章小结 | 第78-79页 |
| 3 磁纳米接触结构的构建与弹道磁电阻效应 | 第79-97页 |
| 3.1 引言 | 第79-80页 |
| 3.2 样品的制备与表征 | 第80-82页 |
| 3.2.1 样品的制备 | 第80页 |
| 3.2.2 样品的表征 | 第80-82页 |
| 3.3 磁纳米接触结构的构建、调控及其磁输运行为 | 第82-92页 |
| 3.3.1 Ni磁纳米接触结构的构建、调控及其弹道磁电阻特性 | 第82-85页 |
| 3.3.2 磁纳米接触结构弹道磁电阻的调控规律 | 第85-87页 |
| 3.3.3 弹道磁电阻的抗疲劳性和保持性 | 第87-89页 |
| 3.3.4 磁纳米接触结构弹道磁电阻的机理分析 | 第89-92页 |
| 3.4 电场可重构的磁逻辑器件 | 第92-95页 |
| 3.5 本章小结 | 第95-97页 |
| 4 VO_2纳米通道的构建与金属绝缘体转变 | 第97-115页 |
| 4.1 引言 | 第97-98页 |
| 4.2 样品的制备与表征 | 第98-102页 |
| 4.2.1 样品的制备 | 第98-99页 |
| 4.2.2 样品的表征 | 第99-102页 |
| 4.3 电场驱动氧离子输运构建一维VO_2纳米通道结构 | 第102-109页 |
| 4.3.1 第一性原理计算可行性分析 | 第102-105页 |
| 4.3.2 一维VO_2纳米通道的电形成过程 | 第105-107页 |
| 4.3.3 高分辨透射电子显微镜证实一维VO_2纳米通道的形成 | 第107-109页 |
| 4.4 一维VO_2纳米通道的金属绝缘体转变 | 第109-112页 |
| 4.5 一维VO_2纳米通道作为纳米选通管器件的演示 | 第112-114页 |
| 4.6 本章小结 | 第114-115页 |
| 5 结论与展望 | 第115-119页 |
| 5.1 本论文工作总结 | 第115-117页 |
| 5.2 展望 | 第117-119页 |
| 论文创新点 | 第119-121页 |
| 参考文献 | 第121-131页 |
| 在学期间研究成果 | 第131-133页 |
| 致谢 | 第133页 |
