| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第9-19页 |
| 1.1.1 显示技术的分类 | 第9-11页 |
| 1.1.2 OLED技术的发展与应用前景 | 第11-17页 |
| 1.1.3 AMOLED驱动电路的发展与现状 | 第17-19页 |
| 1.2 本文主要工作 | 第19页 |
| 1.3 本论文的结构安排 | 第19-21页 |
| 第二章 OLED器件结构及工作原理 | 第21-36页 |
| 2.1 OLED器件发光机理分析 | 第21-23页 |
| 2.2 OLED器件结构比较 | 第23-24页 |
| 2.3 OLED器件各层材料及其特性分析 | 第24-25页 |
| 2.4 OLED器件发光效率及结构选择 | 第25-27页 |
| 2.5 OLED彩色化技术 | 第27-28页 |
| 2.6 OLED制造工艺 | 第28-32页 |
| 2.6.1 ITO基板表面处理工艺 | 第28-29页 |
| 2.6.2 成膜技术 | 第29-31页 |
| 2.6.3 阴极工艺 | 第31-32页 |
| 2.6.4 封装技术 | 第32页 |
| 2.7 本章小结 | 第32-36页 |
| 第三章 AMOLED2T1C驱动电路原理及仿真 | 第36-57页 |
| 3.1 OLED驱动技术分类 | 第36-39页 |
| 3.2 AMOLED驱动电路背板技术比较 | 第39-42页 |
| 3.2.1 TFT背板结构及性能 | 第39-40页 |
| 3.2.2 TFT背板制造及阈值电压漂移 | 第40-42页 |
| 3.3 AMOLED2T1C驱动电路原理分析 | 第42-43页 |
| 3.4 2T1C驱动电路仿真 | 第43-54页 |
| 3.4.1 2T1C中电容影响的仿真分析 | 第44-46页 |
| 3.4.2 2T1C中TFTW/L变化的仿真分析 | 第46-47页 |
| 3.4.3 a-Si与p-SiTFT驱动能力对比仿真 | 第47-49页 |
| 3.4.4 a-Si与p-SiTFT阈值电压漂移仿真 | 第49-51页 |
| 3.4.5 2T1C电路阈值电压漂移仿真 | 第51-54页 |
| 3.5 AMOLED驱动补偿电路简介 | 第54-55页 |
| 3.6 本章小结 | 第55-57页 |
| 第四章 新型5T1CLTPSPMOS阈值补偿驱动电路 | 第57-71页 |
| 4.1 5T1C电路基本架构及工作原理 | 第57-61页 |
| 4.1.1 5T1C电路中各器件及控制信号功能说明 | 第58页 |
| 4.1.2 5T1C电路初始化阶段 | 第58-59页 |
| 4.1.3 5T1C电路数据写入阶段 | 第59-60页 |
| 4.1.4 5T1C电路发光阶段 | 第60-61页 |
| 4.2 5T1C驱动电路补偿仿真及分析 | 第61-66页 |
| 4.2.1 5T1C电路中TFT阈值漂移仿真分析 | 第62-63页 |
| 4.2.2 5T1C电路中电容影响的仿真分析 | 第63-64页 |
| 4.2.3 5T1C电路中TFTW/L变化的仿真分析 | 第64-66页 |
| 4.3 带触控功能的驱动补偿电路 | 第66-69页 |
| 4.3.1 具有触控功能的9T2C像素补偿电路 | 第66-67页 |
| 4.3.2 具有触控功能的10T1C像素补偿电路 | 第67-69页 |
| 4.4 本章小结 | 第69-71页 |
| 第五章 总结与展望 | 第71-73页 |
| 5.1 总结 | 第71-72页 |
| 5.2 展望 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-77页 |
| 附录 | 第77-79页 |
