| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 论文研究背景 | 第10-11页 |
| 1.2.1 LED的发展历史 | 第10-11页 |
| 1.3 LED发光原理 | 第11-12页 |
| 1.4 GaN基LED芯片的三种基本结构 | 第12-14页 |
| 1.5 GaN基LED芯片技术的研究现状 | 第14-17页 |
| 1.5.1 影响LED芯片电光转换效率的因素与提高方法 | 第14-15页 |
| 1.5.2 表面粗化技术 | 第15-16页 |
| 1.5.3 光子晶体技术 | 第16-17页 |
| 1.5.4 图形化蓝宝石衬底技术 | 第17页 |
| 1.6 存在的主要问题 | 第17-18页 |
| 1.7 课题研究的主要内容 | 第18-19页 |
| 第二章 倒装LED芯片的制备及实验条件 | 第19-30页 |
| 2.1 倒装LED外延片的介绍 | 第19-20页 |
| 2.2 倒装LED芯片的制备 | 第20-25页 |
| 2.2.1 倒装LED芯片的设计 | 第20页 |
| 2.2.2 倒装LED的制备流程 | 第20-21页 |
| 2.2.3 关键工艺介绍 | 第21-25页 |
| 2.3 实验条件 | 第25-26页 |
| 2.3.1 主要实验材料 | 第25页 |
| 2.3.2 主要化学试剂 | 第25-26页 |
| 2.4 主要实验设备 | 第26-28页 |
| 2.4.1 光刻机 | 第26页 |
| 2.4.2 镀膜设备 | 第26-27页 |
| 2.4.3 退火设备 | 第27-28页 |
| 2.4.4 原子力显微镜 | 第28页 |
| 2.5 其他实验设备 | 第28-29页 |
| 2.6 本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 金属反射层优化研究 | 第30-42页 |
| 3.1 金属反射层的研究背景 | 第30-31页 |
| 3.2 金属反射层与P型GaN层欧姆接触 | 第31-32页 |
| 3.3 金属反射层材料的选择 | 第32-34页 |
| 3.4 正交实验设计 | 第34-35页 |
| 3.5 比接触电阻率测试方法 | 第35-36页 |
| 3.6 退火工艺的正交实验设计 | 第36-40页 |
| 3.6.1 实验过程及结果 | 第36-37页 |
| 3.6.2 验证实验 | 第37-38页 |
| 3.6.3 退火后外延片表面AFM形貌图 | 第38-39页 |
| 3.6.4 退火后金属反射层的光学反射率 | 第39-40页 |
| 3.7 LED倒装芯片制备完成后电参数测试 | 第40页 |
| 3.8 本章小结 | 第40-42页 |
| 第四章 复合型反射层的优化研究 | 第42-51页 |
| 4.1 透明导电薄膜 | 第42-43页 |
| 4.1.1 ITO薄膜半导体化机理 | 第42-43页 |
| 4.1.2 ITO薄膜的制备 | 第43页 |
| 4.2 ITO溅射工艺的优化 | 第43-45页 |
| 4.3 正交实验分析 | 第45-47页 |
| 4.4 ITO退火实验的研究 | 第47-50页 |
| 4.5 本章小结 | 第50-51页 |
| 第五章 结论 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-57页 |
| 攻读学位期间所取得的相关成果 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58页 |