| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第13-22页 |
| 1.1 课题研究背景及意义 | 第13-18页 |
| 1.1.1 存储墙的产生及传统解决方案 | 第13-14页 |
| 1.1.2 PIM技术及其应用瓶颈 | 第14-16页 |
| 1.1.3 忆阻器技术 | 第16-18页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第18-20页 |
| 1.2.1 忆阻器存储与运算 | 第18-19页 |
| 1.2.2 PIM技术 | 第19-20页 |
| 1.3 本文研究内容与组织结构 | 第20-22页 |
| 1.3.1 本文研究内容 | 第20页 |
| 1.3.2 本文组织结构 | 第20-22页 |
| 第2章 忆阻器理论和SIMD结构概述 | 第22-40页 |
| 2.1 忆阻器的定义 | 第22-24页 |
| 2.2 双极阻性开关特性 | 第24-25页 |
| 2.3 忆阻器建模与仿真 | 第25-28页 |
| 2.3.1 阈值模型SPICE建模仿真 | 第25-28页 |
| 2.4 互补阻性开关特性 | 第28-30页 |
| 2.5 基于BRS CRS交叉阵列单元的逻辑功能设计 | 第30-34页 |
| 2.5.1 IMP门 | 第30-32页 |
| 2.5.2 与门和异或门 | 第32页 |
| 2.5.3 其他逻辑门 | 第32-34页 |
| 2.6 SIMD结构简介 | 第34-35页 |
| 2.7 片上网络 | 第35-39页 |
| 2.7.1 片上网络拓扑结构简介 | 第36-37页 |
| 2.7.2 常见的NOC拓扑结构 | 第37-39页 |
| 2.8 小结 | 第39-40页 |
| 第3章 基于CRS交叉开关阵列的新型SIMD计算结构 | 第40-46页 |
| 3.1 新型SIMD结构设计 | 第40-41页 |
| 3.2 提出结构中的IP核设计 | 第41-43页 |
| 3.3 提出结构中采用的NOC路由模块 | 第43-45页 |
| 3.4 小结 | 第45-46页 |
| 第4章 基于CRS交叉开关阵列的高斯约旦消元算法 | 第46-55页 |
| 4.1 解布尔型线性方程组的一般算法 | 第46-47页 |
| 4.2 CRS交叉开关阵列中的操作类型 | 第47-48页 |
| 4.3 基于CRS交叉开关阵列的高斯约旦消元算法 | 第48-51页 |
| 4.4 实际主元的选取 | 第51-53页 |
| 4.5 解的顺序输出 | 第53-54页 |
| 4.6 小结 | 第54-55页 |
| 第5章 仿真实验 | 第55-63页 |
| 5.1 单元核逻辑功能类型及PSpice仿真验证 | 第55-58页 |
| 5.2 本文结构与传统结构运行时间的对比 | 第58-62页 |
| 5.3 小结 | 第62-63页 |
| 结论 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-70页 |
| 致谢 | 第70页 |