硫化物半导体薄膜的溶液法制备及其光电性能研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 课题背景及研究意义 | 第9-13页 |
| 1.1.1 硫化物半导体材料的简介 | 第9-11页 |
| 1.1.2 硫化物半导体材料的应用 | 第11-13页 |
| 1.2 硫化物半导体材料的研究现状 | 第13-19页 |
| 1.2.1 硫化亚锡的发展现状 | 第13-17页 |
| 1.2.2 硫化锑的发展现状 | 第17-19页 |
| 1.3 课题主要研究内容及创新点 | 第19-21页 |
| 第2章 实验材料和方法 | 第21-30页 |
| 2.1 实验材料 | 第21-22页 |
| 2.2 实验设备 | 第22-23页 |
| 2.3 材料表征方法 | 第23-25页 |
| 2.4 器件的制备及表征 | 第25-30页 |
| 2.4.1 材料的准备 | 第25-26页 |
| 2.4.2 器件的制备 | 第26-28页 |
| 2.4.3 器件的表征 | 第28-30页 |
| 第3章 硫化亚锡薄膜的制备及应用 | 第30-50页 |
| 3.1 硫化亚锡溶液的制备 | 第30-32页 |
| 3.2 硫化亚锡薄膜的制备及优化 | 第32-33页 |
| 3.3 硫化亚锡薄膜的表征及分析 | 第33-42页 |
| 3.3.1 SnS薄膜的XRD分析 | 第33-36页 |
| 3.3.2 SnS薄膜的SEM分析 | 第36-38页 |
| 3.3.3 SnS薄膜的AFM分析 | 第38-40页 |
| 3.3.4 SnS薄膜的UV-Vis分析 | 第40-42页 |
| 3.4 硫化亚锡光电器件性能研究 | 第42-49页 |
| 3.4.1 硫化亚锡做活性层的器件 | 第42-44页 |
| 3.4.2 硫化亚锡做空穴传输层的器件 | 第44-47页 |
| 3.4.3 硫化亚锡掺杂异质结型器件 | 第47-49页 |
| 3.5 本章小结 | 第49-50页 |
| 第4章 硫化锑薄膜的制备及应用 | 第50-69页 |
| 4.1 硫化锑溶液的制备 | 第50-51页 |
| 4.2 硫化锑薄膜的制备及优化 | 第51-52页 |
| 4.3 硫化锑薄膜的表征及分析 | 第52-61页 |
| 4.3.1 Sb_2S_3薄膜的XRD分析 | 第52-54页 |
| 4.3.2 Sb_2S_3薄膜的Raman分析 | 第54-55页 |
| 4.3.3 Sb_2S_3薄膜的FI-IR分析 | 第55-56页 |
| 4.3.4 Sb_2S_3薄膜的SEM分析 | 第56-60页 |
| 4.3.5 Sb_2S_3薄膜的UV-Vis分析 | 第60-61页 |
| 4.4 硫化锑光电器件性能研究 | 第61-67页 |
| 4.4.1 硫化锑做活性层的器件 | 第62-66页 |
| 4.4.2 硫化锑做电子传输层的器件 | 第66-67页 |
| 4.5 本章小结 | 第67-69页 |
| 结论 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-79页 |
| 致谢 | 第79页 |
