高速数字电路的微波扰乱及电磁防护
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 选题背景及意义 | 第9-10页 |
| 1.2 微波扰乱效应研究现状 | 第10-13页 |
| 1.2.1 微波效应的概述 | 第10-11页 |
| 1.2.2 高速数字电路系统的微波效应研究现状 | 第11-12页 |
| 1.2.3 微波扰乱效应的电磁防护研究现状 | 第12-13页 |
| 1.3 本文的主要研究内容及章节安排 | 第13-15页 |
| 第2章 CMOS反相器的基本原理 | 第15-24页 |
| 2.1 MOS场效应管的介绍 | 第15-17页 |
| 2.1.1 MOS场效应管结构 | 第15页 |
| 2.1.2 MOS场效应管模型 | 第15-17页 |
| 2.2 CMOS反相器电路特性 | 第17-23页 |
| 2.2.1 反相器电路工作原理 | 第17-18页 |
| 2.2.2 反相器电路工作特性 | 第18-21页 |
| 2.2.3 CMOS电路的闩锁效应与ESD | 第21-23页 |
| 2.3 先进设计系统ADS | 第23页 |
| 2.4 本章小结 | 第23-24页 |
| 第3章 CMOS反相器的微波扰乱效应模拟与计算 | 第24-39页 |
| 3.1 CMOS反相器的微波扰乱效应建模分析 | 第24-28页 |
| 3.1.1 外界微波干扰等效源模型建立 | 第24-25页 |
| 3.1.2 阻抗匹配网络设计 | 第25-26页 |
| 3.1.3 CMOS反相器微波扰乱仿真模型建立 | 第26-28页 |
| 3.2 CMOS反相器微波扰乱效应仿真分析 | 第28-32页 |
| 3.2.1 输入为低电平时扰乱效应的分析 | 第29-30页 |
| 3.2.2 输入为高电平时扰乱效应的分析 | 第30-32页 |
| 3.3 微波干扰下CMOS反相器动态参数的计算 | 第32-37页 |
| 3.3.1 微波注入反相器的模型 | 第32-34页 |
| 3.3.2 方波信号输入时动态参数的计算 | 第34-36页 |
| 3.3.3 三角波信号输入时动态参数的计算 | 第36-37页 |
| 3.4 本章小结 | 第37-39页 |
| 第4章 微波扰乱效应的电磁屏蔽防护研究 | 第39-49页 |
| 4.1 屏蔽效能的定义 | 第39-40页 |
| 4.2 宽频带电磁屏蔽测试系统的搭建 | 第40-45页 |
| 4.2.1 法兰同轴测试原理及系统搭建 | 第40-43页 |
| 4.2.2 矩形波导管测试原理及系统的搭建 | 第43-45页 |
| 4.3 两种典型材料的屏蔽效能测试分析 | 第45-48页 |
| 4.3.1 纯镁金属屏蔽网测试结果及分析 | 第45-46页 |
| 4.3.2 不锈钢电磁屏蔽网测试结果及分析 | 第46-48页 |
| 4.4 本章小结 | 第48-49页 |
| 第5章 结论与展望 | 第49-51页 |
| 5.1 工作总结 | 第49-50页 |
| 5.2 未来工作展望 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-55页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及其它成果 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56页 |
