摘要 | 第5-7页 |
Abstract | 第7-8页 |
第一章 前言 | 第11-13页 |
第二章 文献综述 | 第13-35页 |
2.1 ZnO的结构 | 第13-15页 |
2.2 ZnO的基本性质 | 第15-21页 |
2.2.1 ZnO的能带 | 第15-18页 |
2.2.2 ZnO的光学性能 | 第18-20页 |
2.2.3 ZnO的电学性能 | 第20-21页 |
2.3 ZnO的应用 | 第21-23页 |
2.4 ZnO薄膜的外延生长 | 第23-25页 |
2.5 ZnO的缺陷与掺杂 | 第25-32页 |
2.5.1 ZnO的本征缺陷 | 第26-27页 |
2.5.2 ZnO的非故意掺杂 | 第27页 |
2.5.3 ZnO的n型掺杂 | 第27-28页 |
2.5.4 ZnO的p型掺杂 | 第28-32页 |
2.6 p型ZnO薄膜制备中存在的问题 | 第32-33页 |
2.7 本文研究思路 | 第33-35页 |
第三章 实验原理、实验工艺和表征手段 | 第35-45页 |
3.1 实验原理 | 第35-40页 |
3.1.1 分子束外延 | 第35-38页 |
3.1.2 离子注入 | 第38-39页 |
3.1.3 高温高压退火 | 第39-40页 |
3.1.4 快速热退火 | 第40页 |
3.2 实验工艺 | 第40-43页 |
3.2.1 分子束外延设备源材料 | 第40-41页 |
3.2.2 衬底选择清洗方法 | 第41-42页 |
3.2.3 具体生长工艺 | 第42-43页 |
3.3 表征手段 | 第43-45页 |
第四章 通过增加受主浓度制备p型ZnO薄膜 | 第45-85页 |
4.1 分子束外延法生长Na掺杂ZnO薄膜 | 第45-65页 |
4.1.1 MgO缓冲层对ZnO薄膜性能的影响 | 第45-50页 |
4.1.2 Zn源温度对ZnO薄膜性能的影响 | 第50-53页 |
4.1.3 氧流量对ZnO薄膜性能的影响 | 第53-57页 |
4.1.4 衬底温度及NaNO_3的束流对ZnO薄膜性能的影响 | 第57-65页 |
4.2 离子注入法制备Li-N共掺ZnO薄膜 | 第65-76页 |
4.2.1 注入后离子在薄膜中的分布 | 第66-67页 |
4.2.2 注入后离子在薄膜中的分布晶格损伤及恢复 | 第67-69页 |
4.2.3 Li-N离子注入的实验过程 | 第69-71页 |
4.2.4 实验样品性能表征 | 第71-76页 |
4.3 离子注入法制备Na-N共掺ZnO薄膜 | 第76-84页 |
4.3.1 Na-N离子注入的实验过程 | 第77-79页 |
4.3.2 实验样品性能表征 | 第79-84页 |
4.4 本章小结 | 第84-85页 |
第五章 通过抑制施主缺陷浓度制备p型ZnO薄膜 | 第85-119页 |
5.1 常温下氧离子注入制备p型ZnO薄膜 | 第85-93页 |
5.1.1 管式炉退火的实验过程 | 第86-87页 |
5.1.2 实验样品的性能表征 | 第87-88页 |
5.1.3 快速热退火炉退火的实验过程 | 第88-89页 |
5.1.4 实验样品性能表征 | 第89-93页 |
5.2 高温高压退火法制备p型ZnO薄膜 | 第93-100页 |
5.2.1 改变退火温度的实验过程 | 第93-94页 |
5.2.2 实验样品的性能表征 | 第94-95页 |
5.2.3 改变退火压强的实验过程 | 第95-96页 |
5.2.4 实验样品的性能表征 | 第96-100页 |
5.3 N-O离子注入法制备共掺ZnO薄膜 | 第100-109页 |
5.3.1 N-O离子注入实验过程 | 第100-102页 |
5.3.2 实验样品性能表征 | 第102-109页 |
5.4 P-O离子注入法制备共掺ZnO薄膜 | 第109-118页 |
5.4.1 P-O离子注入实验过程 | 第110-112页 |
5.4.2 实验样品性能表征 | 第112-118页 |
5.5 本章小结 | 第118-119页 |
第六章 结论 | 第119-123页 |
6.1 全文总结 | 第119-120页 |
6.2 本文主要创新点 | 第120-121页 |
6.3 未来工作展望 | 第121-123页 |
参考文献 | 第123-137页 |
致谢 | 第137-139页 |
个人简历 | 第139-141页 |
攻读博士学位期间发表的论文与取得的其它研究成果 | 第141页 |