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分子束外延及离子共注入技术制备p型ZnO单晶薄膜

摘要第5-7页
Abstract第7-8页
第一章 前言第11-13页
第二章 文献综述第13-35页
    2.1 ZnO的结构第13-15页
    2.2 ZnO的基本性质第15-21页
        2.2.1 ZnO的能带第15-18页
        2.2.2 ZnO的光学性能第18-20页
        2.2.3 ZnO的电学性能第20-21页
    2.3 ZnO的应用第21-23页
    2.4 ZnO薄膜的外延生长第23-25页
    2.5 ZnO的缺陷与掺杂第25-32页
        2.5.1 ZnO的本征缺陷第26-27页
        2.5.2 ZnO的非故意掺杂第27页
        2.5.3 ZnO的n型掺杂第27-28页
        2.5.4 ZnO的p型掺杂第28-32页
    2.6 p型ZnO薄膜制备中存在的问题第32-33页
    2.7 本文研究思路第33-35页
第三章 实验原理、实验工艺和表征手段第35-45页
    3.1 实验原理第35-40页
        3.1.1 分子束外延第35-38页
        3.1.2 离子注入第38-39页
        3.1.3 高温高压退火第39-40页
        3.1.4 快速热退火第40页
    3.2 实验工艺第40-43页
        3.2.1 分子束外延设备源材料第40-41页
        3.2.2 衬底选择清洗方法第41-42页
        3.2.3 具体生长工艺第42-43页
    3.3 表征手段第43-45页
第四章 通过增加受主浓度制备p型ZnO薄膜第45-85页
    4.1 分子束外延法生长Na掺杂ZnO薄膜第45-65页
        4.1.1 MgO缓冲层对ZnO薄膜性能的影响第45-50页
        4.1.2 Zn源温度对ZnO薄膜性能的影响第50-53页
        4.1.3 氧流量对ZnO薄膜性能的影响第53-57页
        4.1.4 衬底温度及NaNO_3的束流对ZnO薄膜性能的影响第57-65页
    4.2 离子注入法制备Li-N共掺ZnO薄膜第65-76页
        4.2.1 注入后离子在薄膜中的分布第66-67页
        4.2.2 注入后离子在薄膜中的分布晶格损伤及恢复第67-69页
        4.2.3 Li-N离子注入的实验过程第69-71页
        4.2.4 实验样品性能表征第71-76页
    4.3 离子注入法制备Na-N共掺ZnO薄膜第76-84页
        4.3.1 Na-N离子注入的实验过程第77-79页
        4.3.2 实验样品性能表征第79-84页
    4.4 本章小结第84-85页
第五章 通过抑制施主缺陷浓度制备p型ZnO薄膜第85-119页
    5.1 常温下氧离子注入制备p型ZnO薄膜第85-93页
        5.1.1 管式炉退火的实验过程第86-87页
        5.1.2 实验样品的性能表征第87-88页
        5.1.3 快速热退火炉退火的实验过程第88-89页
        5.1.4 实验样品性能表征第89-93页
    5.2 高温高压退火法制备p型ZnO薄膜第93-100页
        5.2.1 改变退火温度的实验过程第93-94页
        5.2.2 实验样品的性能表征第94-95页
        5.2.3 改变退火压强的实验过程第95-96页
        5.2.4 实验样品的性能表征第96-100页
    5.3 N-O离子注入法制备共掺ZnO薄膜第100-109页
        5.3.1 N-O离子注入实验过程第100-102页
        5.3.2 实验样品性能表征第102-109页
    5.4 P-O离子注入法制备共掺ZnO薄膜第109-118页
        5.4.1 P-O离子注入实验过程第110-112页
        5.4.2 实验样品性能表征第112-118页
    5.5 本章小结第118-119页
第六章 结论第119-123页
    6.1 全文总结第119-120页
    6.2 本文主要创新点第120-121页
    6.3 未来工作展望第121-123页
参考文献第123-137页
致谢第137-139页
个人简历第139-141页
攻读博士学位期间发表的论文与取得的其它研究成果第141页

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