| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 研究背景 | 第9-11页 |
| 1.2 GaN功率器件研究现状以及待解决问题 | 第11-14页 |
| 1.3 本论文的架构 | 第14-15页 |
| 第二章 氮化镓材料特性以及异质结器件理论 | 第15-32页 |
| 2.1 AlGaN/GaN异质结基础理论 | 第15-17页 |
| 2.1.1 AlGaN/GaN材料特性 | 第15-17页 |
| 2.2 AlGaN/GaN二维电子气调控技术 | 第17-21页 |
| 2.2.1 凹槽栅技术和薄势垒技术 | 第17-19页 |
| 2.2.2 氟离子注入技术 | 第19-20页 |
| 2.2.3 P型栅技术 | 第20-21页 |
| 2.3 GaN功率器件面临的问题 | 第21-24页 |
| 2.3.1 器件耐压的问题 | 第21-22页 |
| 2.3.2 电流崩塌的问题 | 第22-24页 |
| 2.3.3 Si工艺兼容的问题 | 第24页 |
| 2.4 GaNHEMT器件制备的工艺 | 第24-30页 |
| 2.4.1 有源区隔离 | 第24-26页 |
| 2.4.2 器件表面钝化 | 第26页 |
| 2.4.3 欧姆接触 | 第26-27页 |
| 2.4.4 肖特基接触 | 第27-28页 |
| 2.4.5 凹槽栅工艺和薄势垒工艺 | 第28-30页 |
| 2.5 AlGaN/GaNHEMT制备工艺流程 | 第30-31页 |
| 2.6 本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 整流器结构设计与仿真 | 第32-39页 |
| 3.1 混合阳极整流器(HAD)器件结构与工作原理 | 第33-35页 |
| 3.2 正向导通特性仿真与分析 | 第35-37页 |
| 3.3 反向耐压特性仿真与分析 | 第37页 |
| 3.4 本章小结 | 第37-39页 |
| 第四章 整流器的研制与测试 | 第39-61页 |
| 4.1 核心工艺技术开发与优化 | 第45-55页 |
| 4.1.1 高质量欧姆工艺实现方法 | 第46-50页 |
| 4.1.2 薄势垒异质结二维电子气恢复技术 | 第50-51页 |
| 4.1.3 凹槽栅工艺技术开发 | 第51-54页 |
| 4.1.4 栅介质淀积和肖特基金属生长 | 第54-55页 |
| 4.2 混合阳极整流器测试 | 第55-60页 |
| 4.2.1 常规势垒HAD测试 | 第56-57页 |
| 4.2.1.1 正向导通特性 | 第56页 |
| 4.2.1.2 反向耐压特性 | 第56-57页 |
| 4.2.2 薄势垒混合阳极整流器测试 | 第57-60页 |
| 4.2.2.1 正向导通特性 | 第57-58页 |
| 4.2.2.2 反向耐压特性 | 第58-60页 |
| 4.3 本章小结 | 第60-61页 |
| 第五章 总结与展望 | 第61-63页 |
| 5.1 结论 | 第61-62页 |
| 5.2 展望 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-69页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第69页 |