| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-25页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 国内外SnSe材料研究现状 | 第10-16页 |
| 1.2.1 SnSe低维结构的制备研究 | 第10-12页 |
| 1.2.2 SnSe薄膜的光电性质研究 | 第12-16页 |
| 1.3 铁电调控研究进展 | 第16-22页 |
| 1.3.1 铌酸锂研究介绍 | 第19-20页 |
| 1.3.2 铁电光伏研究 | 第20-22页 |
| 1.4 脉冲激光沉积薄膜生长技术介绍 | 第22-23页 |
| 1.4.1 PLD系统 | 第22-23页 |
| 1.4.2 PLD工作原理 | 第23页 |
| 1.5 本文的主要研究内容 | 第23-25页 |
| 第2章 材料制备及初步性质测试研究 | 第25-34页 |
| 2.1 SnSe薄膜制备研究 | 第25-29页 |
| 2.1.1 SnSe原材料制备 | 第25-26页 |
| 2.1.2 SnSe靶材制备 | 第26页 |
| 2.1.3 PLD制备SnSe薄膜研究 | 第26-29页 |
| 2.2 材料的测试方法及原理 | 第29-34页 |
| 2.2.1 光电性质测试 | 第29-31页 |
| 2.2.2 物相分析方法 | 第31-34页 |
| 第3章 极化衬底调控p型SnSe薄膜的光电性质研究 | 第34-52页 |
| 3.1 引言 | 第34-35页 |
| 3.2 薄膜生长速度测定 | 第35-36页 |
| 3.3 薄膜材料的物性检测 | 第36-39页 |
| 3.4 极化衬底调控薄膜材料的光电性质测试 | 第39-48页 |
| 3.5 极化调控模型分析 | 第48-50页 |
| 3.6 本章小结 | 第50-52页 |
| 第4章 旋涂SnSe薄膜的光电性质研究 | 第52-58页 |
| 4.1 旋涂法制备SnSe薄膜 | 第52-54页 |
| 4.1.1 剥离法制备纳米SnSe材料 | 第52-53页 |
| 4.1.2 薄膜材料的物性检测 | 第53-54页 |
| 4.2 极化衬底调控薄膜材料的光电性质测试 | 第54-56页 |
| 4.3 本章小结 | 第56-58页 |
| 第5章 极化衬底调控n型CdSe薄膜光电性质研究 | 第58-65页 |
| 5.1 引言 | 第58页 |
| 5.2 极化衬底调控薄膜光电性质测试 | 第58-62页 |
| 5.3 极化调控模型分析 | 第62-63页 |
| 5.4 本章小结 | 第63-65页 |
| 结论 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-73页 |
| 致谢 | 第73页 |