| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| 1.1 研究工作背景 | 第10-12页 |
| 1.1.1 研究目的 | 第10页 |
| 1.1.2 研究意义 | 第10-11页 |
| 1.1.3 国内外发展现状 | 第11-12页 |
| 1.2 氧化锌纳米线的研究进展 | 第12-15页 |
| 1.3 本文主要工作与结构安排 | 第15-16页 |
| 1.4 本章小结 | 第16-17页 |
| 第二章 纳米等离子体激光器数值计算及仿真研究 | 第17-26页 |
| 2.1 表面等离子体纳米激光器的研究进展 | 第17页 |
| 2.2 理论分析 | 第17-18页 |
| 2.3 物理模型 | 第18-19页 |
| 2.4 数值仿真及分析 | 第19-24页 |
| 2.4.1 基于该表面等离子体激光器的场强分布分析 | 第19-22页 |
| 2.4.2 基于该表面等离子体激光器的模式特性分析 | 第22页 |
| 2.4.3 基于该表面等离子体激光器的增益阈值分析 | 第22-24页 |
| 2.5 实验过程与结果 | 第24-25页 |
| 2.6 本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 ZnO纳米线PN结阵列的制备工艺研究 | 第26-53页 |
| 3.1 ZnO纳米线的制备方法和表征手段 | 第26-27页 |
| 3.1.1 ZnO纳米线的制备方法 | 第26页 |
| 3.1.2 ZnO纳米线样品的表征分析 | 第26-27页 |
| 3.2 ZNO纳米线的制备工艺研究-碳热还原反应 | 第27-42页 |
| 3.2.1 管式炉内生长温区变化 | 第27-28页 |
| 3.2.2 金膜厚度与喷金时间的关系 | 第28-29页 |
| 3.2.3 热蒸发化学气相沉积的过程-碳热还原反应 | 第29-31页 |
| 3.2.4 碳热还原反应工艺摸索 | 第31-41页 |
| 3.2.4.1 氧气量对纳米线生长的影响 | 第31-32页 |
| 3.2.4.2 镀膜时间长短对纳米线生长的影响 | 第32-33页 |
| 3.2.4.3 ZnO和C的质量比对纳米线生长的影响 | 第33-35页 |
| 3.2.4.4 喷金衬底的退火 | 第35-36页 |
| 3.2.4.5 增加升温速率 | 第36页 |
| 3.2.4.6 双路气体流量比对ZnO纳米线生长的影响 | 第36-41页 |
| 3.2.5 碳热还原反应工艺总结 | 第41-42页 |
| 3.3 ZnO纳米线的制备工艺研究—简单蒸气反应沉积法 | 第42-43页 |
| 3.4 ZnO纳米线的同质结制备及工艺摸索 | 第43-49页 |
| 3.4.1 ZnO纳米线的p型掺杂工艺摸索 | 第43-45页 |
| 3.4.1.1 n型ZnO薄膜衬底层的制备 | 第43-44页 |
| 3.4.1.2 掺Sb的ZnO纳米线工艺摸索 | 第44-45页 |
| 3.4.2 ZnO纳米线同质结的工艺摸索 | 第45-49页 |
| 3.5 ZnO纳米线的异质结制备及工艺摸索 | 第49-52页 |
| 3.5.1 n-ZnO/p-GaN异质结器件的制备 | 第49-50页 |
| 3.5.2 p-ZnO/n-GaN异质结器件的制备 | 第50-52页 |
| 3.5.2.1 掺N的ZnO纳米线异质结背景介绍 | 第50-51页 |
| 3.5.2.2 ZnO异质结制备的实验过程 | 第51-52页 |
| 3.6 本章小结 | 第52-53页 |
| 第四章 ZNO纳米线异质结器件的光电特性测试与研究 | 第53-64页 |
| 4.1 表面特性和成分测试 | 第53-54页 |
| 4.2 结构和光学特性 | 第54-57页 |
| 4.2.1 XRD和拉曼测试 | 第54-55页 |
| 4.2.2 光致发光PL测试和光泵浦测试 | 第55-57页 |
| 4.3 电学性能测试 | 第57-61页 |
| 4.3.1 I-V特性测试 | 第57-60页 |
| 4.3.2 电泵浦光谱性能测试 | 第60-61页 |
| 4.4 n-ZnO/p-GaN异质结器件的电学性能测试 | 第61-62页 |
| 4.5 本章小结 | 第62-64页 |
| 第五章 总结与展望 | 第64-66页 |
| 5.1 本文的主要贡献 | 第64-65页 |
| 5.2 下一步工作展望 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-72页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第72-73页 |
