硅的氧化层及电容边缘效应对微加速度计性能的影响
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 课题研究背景及意义 | 第9-12页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第12-15页 |
| 1.3 本文主要工作 | 第15-17页 |
| 第二章 微加速度计加工工艺对极板电容的影响 | 第17-33页 |
| 2.1 体硅微加工技术简介 | 第17页 |
| 2.2 微加速度计工艺流程 | 第17-21页 |
| 2.2.1 DRIE刻蚀 | 第18-19页 |
| 2.2.2 硅-玻璃键合 | 第19-21页 |
| 2.3 硅表面氧化层的形成 | 第21-23页 |
| 2.4 叉指式微加速度计工作原理 | 第23-25页 |
| 2.5 氧化层对极板电容的影响 | 第25-32页 |
| 2.5.1 极板电容计算 | 第25-28页 |
| 2.5.2 氧化层对极板电容的影响情况 | 第28-32页 |
| 2.6 本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 叉指式极板电容的计算与仿真 | 第33-49页 |
| 3.1 有限元简介 | 第33-34页 |
| 3.2 多导体系统电容理论 | 第34-35页 |
| 3.3 叉指结构电容多导体等效模型 | 第35-36页 |
| 3.4 叉指结构电容仿真 | 第36-45页 |
| 3.4.1 极板不存在倾斜角 | 第38-43页 |
| 3.4.2 极板存在倾斜角 | 第43-45页 |
| 3.5 平行极板与倾斜极板电容对比分析 | 第45-48页 |
| 3.6 本章小结 | 第48-49页 |
| 第四章 叉指式微加速度计的性能分析 | 第49-63页 |
| 4.1 静电刚度 | 第49-52页 |
| 4.2 线性度 | 第52-55页 |
| 4.3 灵敏度 | 第55-61页 |
| 4.4 零位 | 第61页 |
| 4.5 本章小结 | 第61-63页 |
| 第五章 总结与展望 | 第63-65页 |
| 5.1 本文总结 | 第63-64页 |
| 5.2 展望 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-70页 |
| 攻硕期间取得的成果 | 第70-71页 |
