基于0.18μm CMOS工艺8位FLASH模数转换器的设计
| 中文摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第1章 绪论 | 第7-11页 |
| 1.1 研究背景意义 | 第7页 |
| 1.2 ADC研究现状及发展趋势 | 第7-10页 |
| 1.3 本文主要内容和结构安排 | 第10-11页 |
| 第2章 模数转换器的结构 | 第11-27页 |
| 2.1 模数转换器结构的回顾 | 第11-24页 |
| 2.1.1 循环结构ADC | 第12页 |
| 2.1.2 逐次逼近结构ADC | 第12-15页 |
| 2.1.3 积分式ADC | 第15-19页 |
| 2.1.4 ∑-△结构ADC | 第19-20页 |
| 2.1.5 闪存结构ADC | 第20-22页 |
| 2.1.6 两步式ADC(半并行结构ADC) | 第22-23页 |
| 2.1.7 流水线结构ADC | 第23-24页 |
| 2.2 模数转换器结构的比较 | 第24-25页 |
| 2.3 本章小结 | 第25-27页 |
| 第3章 模数转换器的特性 | 第27-41页 |
| 3.1 模数转换器性能指标 | 第27-40页 |
| 3.1.1 静态参数 | 第27-35页 |
| 3.1.2 动态参数 | 第35-38页 |
| 3.1.3 时域动态参数 | 第38-40页 |
| 3.2 本章小结 | 第40-41页 |
| 第4章 闪存结构模数转换器设计 | 第41-58页 |
| 4.1 Flash ADC电路设计 | 第41-53页 |
| 4.1.1 梯形电阻电路设计 | 第41-43页 |
| 4.1.2 比较器 | 第43-51页 |
| 4.1.3 编码器 | 第51-53页 |
| 4.2 ROM电路设计 | 第53-57页 |
| 4.2.1 N输入伪NMOS门 | 第54页 |
| 4.2.2 伪NMOS的静态特性 | 第54-57页 |
| 4.3 本章小结 | 第57-58页 |
| 第5章 仿真结果与版图 | 第58-64页 |
| 5.1 仿真结果与分析 | 第58-62页 |
| 5.2 Flash ADC版图设计 | 第62-63页 |
| 5.3 本章小结 | 第63-64页 |
| 结论 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
