| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 引言 | 第11-13页 |
| 第一章 分子磁体及其研究进展 | 第13-31页 |
| 1.1 分子磁体简介 | 第13-14页 |
| 1.2 分子磁体的研究手段 | 第14-19页 |
| 1.3 分子磁体中的量子相干现象与自旋选择定则 | 第19-26页 |
| 1.3.1 分子磁体Hamiltonian量中的横向项和量子相位相干 | 第20-25页 |
| 1.3.2 自旋选择定则 | 第25-26页 |
| 1.4 分子磁体的应用前景 | 第26-30页 |
| 1.4.1 量子存储 | 第27-28页 |
| 1.4.2 量子自旋器件 | 第28-29页 |
| 1.4.3 磁致冷 | 第29-30页 |
| 1.5 小结 | 第30-31页 |
| 第二章 分子磁体Mn_3的低温磁量子隧道效应研究 | 第31-58页 |
| 2.1 分子磁体Mn_3及其研究进展 | 第31-36页 |
| 2.1.1 分子磁体Mn_3的结构 | 第31-32页 |
| 2.1.2 分子磁体Mn_3中的共振场等间隔劈裂现象 | 第32-34页 |
| 2.1.3 分子磁体Mn_3中的spin-pairtunneling效应 | 第34-36页 |
| 2.2 分子磁体Mn_3的低温磁量子隧道研究 | 第36-44页 |
| 2.2.1 基于Hallbar的测量原理及样品制备 | 第36-37页 |
| 2.2.2 分子磁体Mn_3磁量子隧道中的自旋选择定则 | 第37-44页 |
| 2.3 分子磁体Mn_3在非共振场处的弛豫研究 | 第44-48页 |
| 2.4 分子磁体Mn_3的交流磁化率研究 | 第48-52页 |
| 2.5 粉末分子磁体Mn_3的磁量子隧道研究 | 第52-56页 |
| 2.6 小结 | 第56-58页 |
| 第三章 分子磁体Mn_3(II)中的磁致热效应研究 | 第58-70页 |
| 3.1 磁致热效应简介 | 第58-60页 |
| 3.2 分子磁体Mn_3(II)中的反磁致热效应及其机理研究 | 第60-65页 |
| 3.3 分子磁体Mn_3变质过程中的磁熵变 | 第65-67页 |
| 3.4 分子磁体Mn_3(II)的磁量子隧道效应 | 第67-69页 |
| 3.5 小结 | 第69-70页 |
| 第四章 Ti势垒层隧道结的初步研究 | 第70-84页 |
| 4.1 研究背景 | 第70-75页 |
| 4.1.1 多重Andreev反射 | 第71页 |
| 4.1.2 Tomasch振荡和McMillan-Rowell振荡 | 第71-74页 |
| 4.1.3 钛的费米速度 | 第74-75页 |
| 4.2 Nb/Ti/Nb约瑟夫森结的制备 | 第75-76页 |
| 4.3 测试结果及分析 | 第76-82页 |
| 4.3.1 第一组器件-Ti层厚度28nm | 第77-79页 |
| 4.3.2 第二组器件-Ti层厚度14nm | 第79-82页 |
| 4.4 小结 | 第82-84页 |
| 第五章 总结与展望 | 第84-86页 |
| 参考文献 | 第86-93页 |
| 个人简历 | 第93-94页 |
| 发表文章目录 | 第94-95页 |
| 致谢 | 第95-96页 |
