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基于离子阱和受激拉曼绝热技术的量子操作

摘要第3-4页
ABSTRACT第4-5页
1 绪论第8-14页
    1.1 课题背景第8-9页
    1.2 离子阱第9-10页
    1.3 量子逻辑门第10-11页
    1.4 受激拉曼绝热技术第11-14页
2 离子与激光相互作用的理论模型计算方法第14-28页
    2.1 引言第14页
    2.2 线性 Paul 阱第14-20页
        2.2.1 平衡位置第17-18页
        2.2.2 简正模第18-19页
        2.2.3 量子振动模式第19-20页
    2.3 相互作用哈密顿函数计算第20-27页
        2.3.1 行波激光场第21-25页
        2.3.2 驻波激光场第25-27页
    2.4 本章小结第27-28页
3 基于囚禁离子和受激拉曼绝热技术的量子计算第28-42页
    3.1 引言第28页
    3.2 囚禁离子的量子计算第28-33页
        3.2.1 冷离子量子计算模型第28-30页
        3.2.2 热离子量子计算模型第30-33页
    3.3 离子阱系统的几何量子计算第33-36页
        3.3.1 常规几何相位门的实现第33-35页
        3.3.2 非常规几何相位门第35-36页
    3.4 通过绝热通道实现热运动囚禁离子的几何相位门第36-40页
    3.5 本章小节第40-42页
4 基于绝热通道的热离子的非几何条件相位门和 Cluster 态方案第42-47页
    4.1 引言第42页
    4.2 通过暗本征态的绝热演化实现非几何条件相移第42-46页
        4.2.1 理论模型第42-44页
        4.2.2 实现两比特控制量子相位门第44-45页
        4.2.3 两比特和多比特 Cluster 态的产生第45-46页
    4.3 本章小结第46-47页
5 通过绝热通道产生多比特 Dicke 态第47-53页
    5.1 引言第47页
    5.2 Dicke 态简介及制备多比特 Dicke 态的基本模型第47-50页
        5.2.1 Dicke 态第47-48页
        5.2.2 制备 N 个量子比特的 Dicke 态的基本模型第48-50页
    5.3 N 个量子比特对称 dicke 态的实现方案第50-52页
    5.4 本章小结第52-53页
6 结论第53-54页
致谢第54-55页
参考文献第55-59页

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