| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 目录 | 第9-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-13页 |
| 第二章 文献综述 | 第13-33页 |
| 2.1 硅基光电子学的提出与意义 | 第13-16页 |
| 2.1.1 微电子工业与摩尔定律 | 第13-14页 |
| 2.1.2 硅基光电子学 | 第14-16页 |
| 2.2 硅基光源的研究进展 | 第16-22页 |
| 2.2.1 晶体硅的光学性质 | 第16-17页 |
| 2.2.2 硅基发光的主要研究方向 | 第17-22页 |
| 2.3 硅pn结发光二极管在近红外波段电致发光的研究进展 | 第22-32页 |
| 2.3.1 硅pn结发光二极管的带边电致发光研究进展 | 第23-27页 |
| 2.3.2 硅pn结发光二极管在近红外其他波段的电致发光研究进展 | 第27-32页 |
| 2.4 本论文研究的目的与意义 | 第32-33页 |
| 第三章 材料制备与测试设备 | 第33-37页 |
| 3.1 样品制备工艺及设备 | 第33-34页 |
| 3.1.1 硼源配制 | 第33页 |
| 3.1.2 硅衬底片清洗 | 第33页 |
| 3.1.3 旋涂工艺及设备 | 第33页 |
| 3.1.4 扩散工艺及设备 | 第33-34页 |
| 3.1.5 电极制备工艺及设备 | 第34页 |
| 3.2 样品测试表征及设备 | 第34-37页 |
| 3.2.1 高分辨率透射电镜 | 第34页 |
| 3.2.2 电学性能表征 | 第34-35页 |
| 3.2.3 光学性能表征 | 第35页 |
| 3.2.4 时域有限差分(FDTD)模拟计算 | 第35-37页 |
| 第四章 快速热处理扩硼制备硅pn结二极管的室温近红外电致发光性能 | 第37-47页 |
| 4.1 引言 | 第37页 |
| 4.2 实验过程 | 第37-38页 |
| 4.3 实验结果与讨论 | 第38-45页 |
| 4.3.1 器件的结深与载流子浓度分布 | 第38-39页 |
| 4.3.2 器件的Ⅰ-Ⅴ特性 | 第39-40页 |
| 4.3.3 扩硼硅pn结室温近红外电致发光性能 | 第40-44页 |
| 4.3.4 扩硼硅pn结室温电致发光谱中0.78eV发光峰的来源分析 | 第44-45页 |
| 4.4 本章小结 | 第45-47页 |
| 第五章 管式炉扩硼制备硅pn结二极管的室温近红外电致发光性能 | 第47-59页 |
| 5.1 引言 | 第47页 |
| 5.2 实验过程 | 第47-48页 |
| 5.3 实验结果与讨论 | 第48-57页 |
| 5.3.1 器件的结深与载流子分布情况 | 第48-49页 |
| 5.3.2 器件的Ⅰ-Ⅴ特性 | 第49-50页 |
| 5.3.3 管式炉扩硼硅pn结二极管的室温近红外电致发光性能 | 第50-55页 |
| 5.3.4 管式炉扩散制备含位错的高度重掺硅pn结二极管的发光性能 | 第55-57页 |
| 5.4 本章小结 | 第57-59页 |
| 第六章 表面织构增强硅pn结二极管发光的研究 | 第59-67页 |
| 6.1 引言 | 第59页 |
| 6.2 实验 | 第59-60页 |
| 6.2.1 制绒 | 第59页 |
| 6.2.2 硅pn结发光二极管制备 | 第59-60页 |
| 6.3 实验结果与讨论 | 第60-66页 |
| 6.3.1 表面织构增强硅pn结二极管发光的理论分析与模拟计算 | 第60-63页 |
| 6.3.2 不同制绒时间绒面SEM图片 | 第63-64页 |
| 6.3.3 不同尺寸金字塔绒面结构的硅pn结二极管的发光性能 | 第64-66页 |
| 6.4 本章小结 | 第66-67页 |
| 第七章 全文总结 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-75页 |
| 致谢 | 第75-77页 |
| 个人简历 | 第77-79页 |
| 攻读硕士期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 | 第79页 |
