| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第10-24页 |
| 1.1 引言 | 第10-12页 |
| 1.2 半导体光催化技术 | 第12-14页 |
| 1.2.1 半导体材料 | 第12页 |
| 1.2.2 半导体光催化的基本原理 | 第12-13页 |
| 1.2.3 半导体光催化材料的发展历程 | 第13-14页 |
| 1.3 稀磁半导体技术 | 第14-17页 |
| 1.3.1 稀磁半导体 | 第14-15页 |
| 1.3.2 稀磁半导体的磁性产生机制 | 第15-16页 |
| 1.3.3 稀磁半导体的研究进展 | 第16-17页 |
| 1.4 SnS_2的基本性质 | 第17-20页 |
| 1.4.1 SnS_2的基本晶体结构 | 第17-18页 |
| 1.4.2 SnS_2的电学性质 | 第18-19页 |
| 1.4.3 SnS_2的光学性质 | 第19页 |
| 1.4.4 SnS_2的磁学性质 | 第19-20页 |
| 1.5 SnS_2材料的研究现状 | 第20-22页 |
| 1.6 本论文的主要工作 | 第22-24页 |
| 第2章 计算理论的基本原理与计算软件的简单介绍 | 第24-40页 |
| 2.1 Born-Oppenheimer绝热近似 | 第25-27页 |
| 2.2 Hartree-Fock近似 | 第27-28页 |
| 2.3 密度泛函理论 | 第28-30页 |
| 2.3.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第28-29页 |
| 2.3.2 Kohn-Sham方程 | 第29-30页 |
| 2.4 交换关联能泛函 | 第30-34页 |
| 2.4.1 局域密度近似 | 第30-31页 |
| 2.4.2 广义梯度近似 | 第31-32页 |
| 2.4.3 修正密度泛函理论(DFT+U) | 第32-33页 |
| 2.4.4 杂化泛函理论 | 第33-34页 |
| 2.5 平面波基组 | 第34-35页 |
| 2.6 赝势方法 | 第35-36页 |
| 2.7 VASP计算软件包简介 | 第36-40页 |
| 第3章 本征SnS_2的几何结构和电子性质 | 第40-46页 |
| 3.1 理论模型与计算方法 | 第40-41页 |
| 3.2 结果分析与讨论 | 第41-43页 |
| 3.2.1 晶体结构 | 第41-42页 |
| 3.2.2 电子结构 | 第42-43页 |
| 3.3 本章小结 | 第43-46页 |
| 第4章 Fe/Zn掺杂单层SnS_2的第一性原理研究 | 第46-70页 |
| 4.1 理论模型与计算方法 | 第47-48页 |
| 4.2 Fe掺杂单层SnS_2的第一性原理研究 | 第48-60页 |
| 4.2.1 形成能 | 第48-50页 |
| 4.2.2 几何结构 | 第50页 |
| 4.2.3 电子结构 | 第50-53页 |
| 4.2.4 磁学性质 | 第53-56页 |
| 4.2.5 光学性质 | 第56-60页 |
| 4.3 Zn掺杂单层SnS_2的第一性原理研究 | 第60-67页 |
| 4.3.1 形成能 | 第60页 |
| 4.3.2 几何结构 | 第60-61页 |
| 4.3.3 电子结构 | 第61-63页 |
| 4.3.4 磁学性质 | 第63-65页 |
| 4.3.5 光学性质 | 第65-67页 |
| 4.4 本章小结 | 第67-70页 |
| 第5章 含有本征缺陷的单层SnS_2的电子结构与磁学性质 | 第70-82页 |
| 5.1 计算方法与理论模型 | 第70-72页 |
| 5.2 结果分析与讨论 | 第72-79页 |
| 5.2.1 形成能 | 第72-73页 |
| 5.2.2 含有空位缺陷的单层SnS_2的电子结构和磁学性质 | 第73-75页 |
| 5.2.3 含有反占位缺陷的单层SnS_2的电子结构和磁学性质 | 第75-76页 |
| 5.2.4 含有吸附缺陷的单层SnS_2的电子结构和磁学性质 | 第76-78页 |
| 5.2.5 单层SnS_2中本征缺陷之间的磁耦合作用 | 第78-79页 |
| 5.3 本章小结 | 第79-82页 |
| 第6章 总结 | 第82-84页 |
| 参考文献 | 第84-92页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第92-94页 |
| 致谢 | 第94-95页 |
