| 摘要 | 第3-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第10-17页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第10-11页 |
| 1.2 丙烷的脱氢反应 | 第11-13页 |
| 1.2.1 丙烷直接脱氢 | 第12页 |
| 1.2.2 丙烷氧化脱氢 | 第12-13页 |
| 1.3 脱氢催化剂的研究 | 第13-16页 |
| 1.3.1 铂系催化剂 | 第13-14页 |
| 1.3.2 铬系催化剂 | 第14页 |
| 1.3.3 钒系催化剂 | 第14-16页 |
| 1.3.4 催化剂的制备 | 第16页 |
| 1.4 课题提出及本论文研究内容 | 第16-17页 |
| 第2章 Si/V质量比对催化剂的影响 | 第17-40页 |
| 2.1 引言 | 第17-18页 |
| 2.2 实验部分 | 第18-23页 |
| 2.2.1 原料与试剂 | 第18-19页 |
| 2.2.2 VO_X-SiO_2催化剂的制备 | 第19-20页 |
| 2.2.3 X射线衍射(XRD) | 第20-21页 |
| 2.2.4 场发射扫描电子显微镜(FESEM) | 第21页 |
| 2.2.5 透射电子显微镜(TEM) | 第21页 |
| 2.2.6 紫外-可见光谱(UV-vis) | 第21页 |
| 2.2.7 拉曼光谱(Raman) | 第21页 |
| 2.2.8 低温N_2物理吸附/脱附 | 第21页 |
| 2.2.9 氨气程序升温脱附(NH_3-TPD) | 第21-22页 |
| 2.2.10 X射线光电子能谱(XPS) | 第22页 |
| 2.2.11 氢气程序升温还原(H_2-TPR) | 第22页 |
| 2.2.12 热重分析(TGA) | 第22页 |
| 2.2.13 电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP) | 第22页 |
| 2.2.14 催化剂活性评价 | 第22-23页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第23-39页 |
| 2.3.1 催化剂XRD的分析 | 第23-24页 |
| 2.3.2 氮气吸附/脱附等温线的分析 | 第24-25页 |
| 2.3.3 UV-vis的分析 | 第25-26页 |
| 2.3.4 Raman的分析 | 第26-27页 |
| 2.3.5 SEM和TEM的分析 | 第27-29页 |
| 2.3.6 H_2-TPR的分析 | 第29-30页 |
| 2.3.7 XPS的分析 | 第30-31页 |
| 2.3.8 NH_3?TPD的分析 | 第31-32页 |
| 2.3.9 催化性能的分析 | 第32-39页 |
| 2.4 本章小结 | 第39-40页 |
| 第3章 不同凝胶和焙烧温度对催化剂的影响 | 第40-56页 |
| 3.1 引言 | 第40页 |
| 3.2 实验部分 | 第40-42页 |
| 3.2.1 催化剂的制备 | 第40-41页 |
| 3.2.2 催化剂的表征 | 第41页 |
| 3.2.3 催化剂的活性评价 | 第41-42页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第42-55页 |
| 3.3.1 催化性能的分析 | 第42-44页 |
| 3.3.2 结构性能的分析 | 第44-46页 |
| 3.3.3 Raman的分析 | 第46-48页 |
| 3.3.4 XPS的分析 | 第48-50页 |
| 3.3.5 NH_3?TPD的分析 | 第50-52页 |
| 3.3.6 H_2-TPR的分析 | 第52-53页 |
| 3.3.7 催化剂再生性能的分析 | 第53-55页 |
| 3.4 本章小结 | 第55-56页 |
| 第4章 不同钒源对催化剂的影响 | 第56-74页 |
| 4.1 引言 | 第56页 |
| 4.2 实验部分 | 第56-58页 |
| 4.2.1 催化剂的制备 | 第56-57页 |
| 4.2.2 催化剂的表征 | 第57页 |
| 4.2.3 催化剂的活性评价 | 第57-58页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第58-73页 |
| 4.3.1 XRD的分析 | 第58-60页 |
| 4.3.2 氮气吸附/脱附等温线的分析 | 第60-63页 |
| 4.3.3 UV-vis的分析 | 第63-65页 |
| 4.3.4 Raman的分析 | 第65-68页 |
| 4.3.5 XPS的分析 | 第68-70页 |
| 4.3.6 H_2-TPR的分析 | 第70-72页 |
| 4.3.7 催化性能的分析 | 第72-73页 |
| 4.4 本章小结 | 第73-74页 |
| 第5章 全文总结 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-81页 |
| 攻读学位期间取得的研究成果 | 第81-82页 |
| 致谢 | 第82页 |