| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 固态超级电容的研究现状 | 第10-18页 |
| 1.2.1 静电电容的基本结构及基本参数 | 第10-11页 |
| 1.2.2 固态超级电容的基本设计思想 | 第11-12页 |
| 1.2.3 固态超级电容的制造方法 | 第12-18页 |
| 1.3 本章小结 | 第18-19页 |
| 第二章 Pt纳米颗粒辅助化学刻蚀重掺杂P型单晶硅的研究 | 第19-58页 |
| 2.1 引言 | 第19页 |
| 2.2 Pt纳米颗粒的制备 | 第19-22页 |
| 2.2.1 实验方案 | 第20页 |
| 2.2.2 实验结果与讨论 | 第20-22页 |
| 2.2.2.1 初始薄膜厚度对Pt纳米颗粒生长的影响 | 第20-21页 |
| 2.2.2.2 退火温度对Pt纳米颗粒生长的影响 | 第21-22页 |
| 2.2.2.3 退火时间对Pt纳米颗粒生长的影响 | 第22页 |
| 2.3 Pt纳米颗粒对重掺杂P型单晶硅的催化刻蚀 | 第22-56页 |
| 2.3.1 氢氟酸和双氧水的相对含量对催化刻蚀特性的影响 | 第22-30页 |
| 2.3.1.1 实验方案 | 第22-23页 |
| 2.3.1.2 实验结果与讨论 | 第23-30页 |
| 2.3.2 初始氧化层的厚度对催化刻蚀特性的影响 | 第30-32页 |
| 2.3.2.1 实验方案 | 第30页 |
| 2.3.2.2 实验结果与讨论 | 第30-32页 |
| 2.3.3 基于催化刻蚀技术制备孔径可调的柱状硅纳米孔的研究 | 第32-34页 |
| 2.3.3.1 实验方案 | 第32页 |
| 2.3.3.2 实验结果与讨论 | 第32-34页 |
| 2.3.4 不同溶剂对催化刻蚀特性的影响 | 第34-37页 |
| 2.3.4.1 实验方案 | 第34-35页 |
| 2.3.4.2 实验结果与讨论 | 第35-37页 |
| 2.3.5 Pt颗粒与Pt薄膜对催化刻蚀特性的影响比较 | 第37-40页 |
| 2.3.5.1 实验方案 | 第37页 |
| 2.3.5.2 实验结果与讨论 | 第37-40页 |
| 2.3.6 部分区域覆盖Pt颗粒对催化刻蚀特性的影响 | 第40-42页 |
| 2.3.6.1 实验方案 | 第40页 |
| 2.3.6.2 实验结果与讨论 | 第40-42页 |
| 2.3.7 Pt颗粒密度对催化刻蚀特性的影响 | 第42-44页 |
| 2.3.7.1 实验方案 | 第42页 |
| 2.3.7.2 实验结果与讨论 | 第42-44页 |
| 2.3.8 不同浓度的氢氟酸溶液两次刻蚀对刻蚀特性的影响 | 第44-47页 |
| 2.3.8.1 实验方案 | 第44-45页 |
| 2.3.8.2 实验结果与讨论 | 第45-47页 |
| 2.3.9 柱状硅纳米孔的光学特性表征 | 第47-56页 |
| 2.3.9.1 实验方案 | 第47-48页 |
| 2.3.9.2 实验结果与讨论 | 第48-56页 |
| 2.4 本章小结 | 第56-58页 |
| 第三章 Pt纳米颗粒催化刻蚀轻掺杂P型和重掺杂N型单晶硅的研究 | 第58-70页 |
| 3.1 引言 | 第58-59页 |
| 3.2 实验方案 | 第59页 |
| 3.3 实验结果与讨论 | 第59-68页 |
| 3.3.1 Pt颗粒催化刻蚀轻掺杂P型单晶硅研究 | 第59-65页 |
| 3.3.2 Pt颗粒催化刻蚀重掺杂N型单晶硅研究 | 第65-68页 |
| 3.4 本章小结 | 第68-70页 |
| 第四章 基于重掺杂P型单晶硅纳米深槽的固态超级电容制备 | 第70-76页 |
| 4.1 引言 | 第70-71页 |
| 4.2 实验方案 | 第71-73页 |
| 4.2.1 硅纳米深槽的制备 | 第71页 |
| 4.2.2 MIM电容结构的制备 | 第71-72页 |
| 4.2.3 接触形成、器件面积定义以及电学测量 | 第72-73页 |
| 4.3 实验结果与讨论 | 第73-75页 |
| 4.4 本章小结 | 第75-76页 |
| 第五章 总结与展望 | 第76-79页 |
| 参考文献 | 第79-83页 |
| 硕士阶段取得的学术成果 | 第83-84页 |
| 致谢 | 第84-85页 |
