| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 锗硅纳米线的研究现状 | 第6-15页 |
| §1.1 半导体纳米线及其应用 | 第6-7页 |
| §1.2 纳米线生长方法介绍 | 第7-12页 |
| §1.2.1 纵向纳米线生长方法介绍 | 第8-12页 |
| §1.2.1.1 tope-down方法介绍 | 第9-11页 |
| §1.2.1.2 bottom-up方法介绍 | 第11-12页 |
| §1.2.2 横向纳米线生长方法介绍 | 第12页 |
| §1.3 高指数硅衬底上锗硅纳米线生长方法介绍 | 第12-14页 |
| §1.4 本文的主要工作 | 第14-15页 |
| 第二章 生长与测试系统介绍 | 第15-21页 |
| §2.1 分子束外延技术 | 第15页 |
| §2.2 锗硅分子束外延系统 | 第15-17页 |
| §2.3 原子力显微镜 | 第17-18页 |
| §2.4 光致发光测试系统 | 第18-19页 |
| §2.5 拉曼光谱测试系统 | 第19-21页 |
| 第三章 硅斜切衬底上单层锗硅纳米线的生长 | 第21-27页 |
| §3.1 实验过程介绍 | 第21-22页 |
| §3.1.1 Si片清洗过程介绍 | 第21页 |
| §3.1.2 Si片生长过程介绍 | 第21-22页 |
| §3.2 不同斜切衬底上生长得到的样品比较 | 第22-23页 |
| §3.3 8°斜切衬底上得到的纳米线形貌分析 | 第23-24页 |
| §3.4 淀积厚度和温度对GeSi纳米线的影响 | 第24-26页 |
| §3.5 8°斜切衬底上形成GeSi纳米线的原因 | 第26-27页 |
| 第四章 硅斜切衬底上多层锗硅纳米线的生长及特性研究 | 第27-37页 |
| §4.1 生长过程及形貌分析 | 第27-29页 |
| §4.1.1 生长过程介绍 | 第27页 |
| §4.1.2 生长形貌分析 | 第27-29页 |
| §4.2 硅斜切衬底上生长多层锗硅纳米线的PL谱分析 | 第29-32页 |
| §4.2.1 PL谱峰位分析 | 第29-30页 |
| §4.2.2 Power-PL谱分析 | 第30-31页 |
| §4.2.3 Temperature-PL谱分析 | 第31-32页 |
| §4.3 硅斜切衬底上生长多层锗硅纳米线的Raman谱分析 | 第32-34页 |
| §4.3.1 Raman谱峰位分析 | 第32-33页 |
| §4.3.2 Raman谱组分及应力分析 | 第33-34页 |
| §4.4 锗硅纳米线空穴态能级及跃迁的理论计算 | 第34-37页 |
| 第五章 总结与展望 | 第37-38页 |
| 参考文献 | 第38-41页 |
| 发表文章 | 第41页 |
| 会议文章 | 第41-42页 |
| 致谢 | 第42-43页 |
