| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 前言 | 第9-10页 |
| 1.2 压电陶瓷的基本理论 | 第10-21页 |
| 1.2.1 压电陶瓷的结构 | 第10-12页 |
| 1.2.2 压电陶瓷的性能与结构之间的关系 | 第12-16页 |
| 1.2.3 压电陶瓷的掺杂改性 | 第16-18页 |
| 1.2.4 课题提出的背景和意义 | 第18-21页 |
| 第二章 实验过程及测试 | 第21-29页 |
| 2.1 实验设计思路 | 第21页 |
| 2.2 实验原料和仪器 | 第21-22页 |
| 2.3 实验流程 | 第22-26页 |
| 2.4 性能测试 | 第26-29页 |
| 第三章 PLSZT压电陶瓷配方确定 | 第29-43页 |
| 3.1 锑掺杂量对PLSZT压电陶瓷性能的影响 | 第29-36页 |
| 3.1.1 不同Sb含量的陶瓷样品的物相分析(XRD分析) | 第29-30页 |
| 3.1.2 不同Sb含量的陶瓷样品的微观形貌(SEM分析) | 第30-31页 |
| 3.1.3 不同Sb含量的陶瓷样品的体积密度 | 第31-32页 |
| 3.1.4 不同Sb含量的陶瓷样品的电学性能d_(33)分析 | 第32-33页 |
| 3.1.5 不同Sb含量的陶瓷样品的电学性能Kp分析 | 第33页 |
| 3.1.6 不同Sb含量的陶瓷样品的相对介电常数ε~T_(33)/ε_0分析 | 第33-35页 |
| 3.1.7 不同Sb含量的陶瓷样品的介电损耗tgδ分析 | 第35-36页 |
| 3.2 镧掺杂量对PLSZT压电陶瓷性能的影响 | 第36-40页 |
| 3.3 锆钛比对PLSZT压电陶瓷性能的影响 | 第40-42页 |
| 3.4 本章小结 | 第42-43页 |
| 第四章 PLSZT陶瓷制备工艺的优化 | 第43-51页 |
| 4.1 合成温度对PLSZT陶瓷性能的影响 | 第43-46页 |
| 4.2 不同垫料对PLSZT压电陶瓷性能的影响 | 第46-50页 |
| 4.3 本章小结 | 第50-51页 |
| 第五章 外加锶对PLSZT压电陶瓷性能的影响 | 第51-62页 |
| 5.1 锆钛比(Zr/Ti)对性能的影响 | 第51-56页 |
| 5.1.1 不同锆钛比的陶瓷样品的物相分析(XRD分析) | 第51-53页 |
| 5.1.2 不同锆钛比的陶瓷样品的微观形貌(SEM分析) | 第53-54页 |
| 5.1.3 不同锆钛比的陶瓷样品的电学性能分析d_(33)和Kp | 第54-55页 |
| 5.1.4 不同锆钛比的陶瓷样品的电学性能分析ε~T_(33)/ε_0和tgδ | 第55-56页 |
| 5.2 锶掺杂对陶瓷性能的影响 | 第56-61页 |
| 5.2.1 不同锶含量的陶瓷样品的物相分析(XRD分析) | 第56页 |
| 5.2.2 不同锶含量的陶瓷样品的微观形貌(SEM分析) | 第56-58页 |
| 5.2.3 不同锶含量的陶瓷样品的电学性能分析d_(33)和Kp | 第58-59页 |
| 5.2.4 不同锶含量的陶瓷试样的介温图谱 | 第59页 |
| 5.2.5 不同锶含量的陶瓷样品的电滞回线 | 第59-60页 |
| 5.2.6 不同锶含量的陶瓷样品的矫顽电场和剩余极化强度 | 第60-61页 |
| 5.3 本章小结 | 第61-62页 |
| 第六章 结论 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-69页 |
| 发表的论文和参加科研情况说明 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70页 |
