| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| §1-1 GaN 基发光二极管的的发展及应用 | 第9-10页 |
| §1-2 影响 GaN 基发光二极管光电性能的主要技术 | 第10-16页 |
| 1-2-1 材料外延方面技术 | 第10-13页 |
| 1-2-2 芯片工艺技术 | 第13-16页 |
| §1-3 透明导电薄膜 ITO 在发光二极管中的应用 | 第16-18页 |
| 1-3-1 ITO 薄膜的基本性能 | 第16-17页 |
| 1-3-2 ITO 在发光二极管中的应用 | 第17页 |
| 1-3-3 ITO 国内外研究现状和存在问题 | 第17-18页 |
| §1-4 研究的主要内容 | 第18-19页 |
| 第二章 GaN 基发光二极管的工作原理及制备过程 | 第19-22页 |
| §2-1 GaN 基 LED 的工作原理 | 第19-20页 |
| §2-2 GaN 基 LED 的芯片制作流程 | 第20-21页 |
| 2-2-1 外延制作流程 | 第20页 |
| 2-2-2 GaN 基 LED 的制作流程 | 第20-21页 |
| 2-2-3 封装研究工作 | 第21页 |
| §2-3 小结 | 第21-22页 |
| 第三章 正交试验设计 | 第22-25页 |
| §3-1 正交实验设计原理 | 第22-23页 |
| 3-1-1 正交试验设计的过程 | 第23页 |
| 3-1-2 正交试验设计的极差分析 | 第23页 |
| §3-2 正交实验设计安排 | 第23-24页 |
| §3-3 小结 | 第24-25页 |
| 第四章 L9 正交实验分析 | 第25-36页 |
| §4-1 透明导电薄膜 ITO 特性分析 | 第25-32页 |
| 4-1-1 不同条件下综合指数的比较 | 第25-27页 |
| 4-1-2 不同条件下制备的 ITO 薄膜的透光率的比较 | 第27-28页 |
| 4-1-3 不同条件下制备的 ITO 薄膜的粗糙度的比较 | 第28-30页 |
| 4-1-4 不同条件下制备的 ITO 薄膜的 SEM 分析 | 第30-32页 |
| §4-2 GaN 基蓝光发光二极管 L9 正交实验分析 | 第32-35页 |
| 4-2-1 不同条件下制备的 GaN 基发光二极管光电参数的比较 | 第32页 |
| 4-2-2 不同条件下制备的 GaN 基发光二极管光强分布的比较 | 第32-34页 |
| 4-2-3 不同条件下制备的 GaN 基发光二极管光通量的比较 | 第34-35页 |
| §4-3 小结 | 第35-36页 |
| 第五章 结论 | 第36-37页 |
| 参考文献 | 第37-39页 |
| 致谢 | 第39-40页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第40-41页 |
