| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第8-10页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第10-13页 |
| 1.3 主要研究内容 | 第13-14页 |
| 第二章 物理模型与计算方法 | 第14-20页 |
| 2.1 物理场 | 第14-16页 |
| 2.1.1 热场 | 第14-15页 |
| 2.1.2 应力场 | 第15-16页 |
| 2.2 位错模型 | 第16-19页 |
| 2.2.1 CRSS位错模型 | 第17-18页 |
| 2.2.2 HAS位错模型 | 第18-19页 |
| 2.3 有限元求解 | 第19-20页 |
| 第三章 多晶硅铸锭冷却工艺优化 | 第20-44页 |
| 3.1 引言 | 第20页 |
| 3.2 模拟方法与工艺曲线 | 第20-23页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第23-43页 |
| 3.3.1 CRSS位错模型结果 | 第23-30页 |
| 3.3.1.1 温度分析 | 第23-24页 |
| 3.3.1.2 应力分析 | 第24-27页 |
| 3.3.1.3 位错密度分析 | 第27-30页 |
| 3.3.2 HAS位错模型结果 | 第30-43页 |
| 3.3.2.1 应力分析 | 第30-33页 |
| 3.3.2.2 位错密度分析 | 第33-35页 |
| 3.3.2.3 硬化指数变量对结果的影响 | 第35-37页 |
| 3.3.2.4 等效应力对结果的影响 | 第37-40页 |
| 3.3.2.5 几何因素对结果的影响 | 第40-43页 |
| 3.4 小结 | 第43-44页 |
| 第四章 出炉温度对硅锭质量的影响 | 第44-50页 |
| 4.1 引言 | 第44页 |
| 4.2 模拟方法 | 第44-45页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第45-49页 |
| 4.3.1 温度分析 | 第45-46页 |
| 4.3.2 应力分析 | 第46-47页 |
| 4.3.3 位错密度分析 | 第47-49页 |
| 4.4 小结 | 第49-50页 |
| 第五章 冷却速率对小尺寸硅块中位错密度及应力的影响 | 第50-60页 |
| 5.1 引言 | 第50页 |
| 5.2 模拟分析 | 第50-54页 |
| 5.2.1 模拟方法 | 第50-51页 |
| 5.2.2 模拟结果与讨论 | 第51-54页 |
| 5.2.2.1 流场分析 | 第51-52页 |
| 5.2.2.2 温度分析 | 第52-53页 |
| 5.2.2.3 应力分析 | 第53页 |
| 5.2.2.4 位错密度分析 | 第53-54页 |
| 5.3 实验验证 | 第54-59页 |
| 5.3.1 实验过程与主要仪器设备 | 第54-56页 |
| 5.3.2 实验结果分析 | 第56-59页 |
| 5.3.2.1 姐妹面上的位错观察 | 第56-57页 |
| 5.3.2.2 位错密度分析 | 第57-59页 |
| 5.4 小结 | 第59-60页 |
| 第六章 总结 | 第60-62页 |
| 6.1 结论 | 第60-61页 |
| 6.2 创新之处及展望 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第67页 |