| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 课题背景及意义 | 第10页 |
| 1.2 高介电系数聚合物基复材料的研究现状 | 第10-13页 |
| 1.2.1 高介电系数聚合物基复合材料的研究 | 第10-11页 |
| 1.2.2 高介电系数聚合物基复合材料的应用 | 第11-12页 |
| 1.2.3 高介电系数聚合物基复合材料的制备方法 | 第12-13页 |
| 1.3 高介电系数钛酸铜钙(CCTO)材料 | 第13-14页 |
| 1.4 课题研究内容 | 第14-16页 |
| 第2章 聚合物基复合电介质材料的介电理论 | 第16-20页 |
| 2.1 电介质材料极化理论及其性能表征 | 第16-17页 |
| 2.1.1 电介质材料的极化理论 | 第16页 |
| 2.1.2 电介质材料的性能表征 | 第16-17页 |
| 2.2 复合材料介电系数增强的理论模型 | 第17-19页 |
| 2.2.1 Maxwell 介质方程 | 第17-18页 |
| 2.2.2 Maxwell-Garnett 理论 | 第18页 |
| 2.2.3 渗流阈值(Percolation Threshold)理论 | 第18-19页 |
| 2.2.4 EMT 理论 | 第19页 |
| 2.3 本章小结 | 第19-20页 |
| 第3章 PI 复合薄膜制备及结构表征 | 第20-31页 |
| 3.1 制备方法及原理 | 第20-21页 |
| 3.2 主要原料与仪器设备 | 第21-22页 |
| 3.2.1 主要原料 | 第21页 |
| 3.2.2 仪器设备 | 第21-22页 |
| 3.3 制备过程 | 第22-25页 |
| 3.3.1 CCTO/CCTZO 陶瓷的制备 | 第22-23页 |
| 3.3.2 PI 薄膜的制备 | 第23-24页 |
| 3.3.3 PI 复合薄膜的制备 | 第24-25页 |
| 3.4 PI 复合薄膜结构表征 | 第25-30页 |
| 3.4.1 傅里叶红外光谱(FT-IR) | 第25-26页 |
| 3.4.2 X-射线衍射谱(XRD) | 第26-27页 |
| 3.4.3 扫描电镜(SEM) | 第27-30页 |
| 3.5 本章小结 | 第30-31页 |
| 第4章 PI 复合薄膜介电性能研究 | 第31-43页 |
| 4.1 宽频介电谱仪及测试原理 | 第31-33页 |
| 4.1.1 宽频介电谱仪的结构 | 第31-32页 |
| 4.1.2 宽频介电谱仪的测试原理 | 第32-33页 |
| 4.2 CCTO 及 CCTZO 陶瓷的介电性 | 第33-34页 |
| 4.3 PI 复合薄膜介电性能与频率的关系 | 第34-37页 |
| 4.3.1 CCTO/PI 复合薄膜的介电频谱 | 第34-35页 |
| 4.3.2 CCTZO/PI 复合薄膜的介电频谱 | 第35-37页 |
| 4.4 PI 复合薄膜介电性能与温度的关系 | 第37-39页 |
| 4.4.1 CCTO/PI 复合薄膜的介电温谱 | 第37-38页 |
| 4.4.2 CCTZO/PI 复合薄膜的介电温谱 | 第38-39页 |
| 4.5 PI 复合薄膜介电性能与陶瓷含量的关系 | 第39-40页 |
| 4.6 PI 复合薄膜介电模型 | 第40-41页 |
| 4.7 本章小结 | 第41-43页 |
| 结论 | 第43-44页 |
| 参考文献 | 第44-48页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文及申请的专利 | 第48-49页 |
| 致谢 | 第49页 |