| 摘要 | 第6-7页 |
| abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第12-21页 |
| 1.1 课题背景 | 第12页 |
| 1.2 过渡金属氮化物硬质膜的分类 | 第12-13页 |
| 1.3 纳米薄膜常用的制备技术 | 第13-14页 |
| 1.4 纳米多层膜 | 第14-19页 |
| 1.4.1 纳米多层周期膜的构成 | 第14-15页 |
| 1.4.2 纳米多层膜的性能特点 | 第15-19页 |
| 1.5 薄膜厚度的测量方法 | 第19-20页 |
| 1.6 本文研究的内容 | 第20-21页 |
| 第2章 实验方法及设备介绍 | 第21-29页 |
| 2.1 实验研究路线 | 第21页 |
| 2.2 实验设备 | 第21-22页 |
| 2.3 薄膜的性能表征 | 第22-25页 |
| 2.3.1 掠入射小角X射线散射（GISAXS）物相分析 | 第22-23页 |
| 2.3.2 X射线反射率（XRR）测定 | 第23页 |
| 2.3.3 中子反射率测定 | 第23-24页 |
| 2.3.4 成分检测 | 第24页 |
| 2.3.5 表面粗糙度 | 第24-25页 |
| 2.4 基片预处理 | 第25页 |
| 2.5 薄膜的制备流程 | 第25-26页 |
| 2.6 实验方案 | 第26-29页 |
| 2.6.1 薄膜沉积速率的标定 | 第26-27页 |
| 2.6.2 薄膜晶体结构的测定 | 第27页 |
| 2.6.3 Ｘ射线反射率试验样品 | 第27-28页 |
| 2.6.4 不同调制周期的中子反射实验样品 | 第28页 |
| 2.6.5 不同调制周期的TiN/AlN多层膜样品 | 第28-29页 |
| 第3章 薄膜结构表征的基本理论 | 第29-34页 |
| 3.1 GISAXS测试原理 | 第29-30页 |
| 3.2 XRR测试原理 | 第30-32页 |
| 3.2.1 Parratt拟合原理 | 第30-31页 |
| 3.2.2 Bragg计算原理 | 第31-32页 |
| 3.3 计算方法 | 第32-34页 |
| 3.3.1 X射线SLD计算方法 | 第32-33页 |
| 3.3.2 中子SLD的计算方法 | 第33-34页 |
| 第4章 周期厚度对TiAlN/CrAlN膜层结构的影响 | 第34-46页 |
| 4.1 膜层速率的标定 | 第34-36页 |
| 4.1.1 射线反射法标定沉积速率 | 第34-35页 |
| 4.1.2 薄膜速率的验证 | 第35-36页 |
| 4.2 膜层的晶体结构 | 第36-38页 |
| 4.2.1 单层膜的掠入射结果 | 第36-37页 |
| 4.2.2 多层膜的掠射结果 | 第37-38页 |
| 4.3 不同调制周期的TiAlN/CrAlN膜层X-ray反射结果 | 第38-41页 |
| 4.4 不同调制周期变化的中子反射结果 | 第41-44页 |
| 4.5 本章小结 | 第44-46页 |
| 第5章 溅射工艺参数对膜层界面结构的影响 | 第46-54页 |
| 5.1 Al靶功率对膜层结构的影响 | 第46-47页 |
| 5.2 Ti/Cr电流对膜层结构的影响 | 第47-49页 |
| 5.3 N_2流量对膜层结构的影响 | 第49-50页 |
| 5.4 Ar流量对膜层结构的影响 | 第50-52页 |
| 5.5 负偏压对膜层结构的影响 | 第52-53页 |
| 5.6 本章小结 | 第53-54页 |
| 第6章 调制周期对TiN/AlN膜层结构的影响 | 第54-60页 |
| 6.1 TiN和AlN溅射速率标定 | 第54页 |
| 6.2 单层膜的晶体结构 | 第54-55页 |
| 6.3 TiN/AlN不同调制周期的反射率结果 | 第55-58页 |
| 6.4 本章小结 | 第58-60页 |
| 结论 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-67页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文和获得的科研成果 | 第67-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
