| 摘要 | 第8-9页 |
| ABSTRACT | 第9-10页 |
| 第一章 引言 | 第11-15页 |
| 1.1 碲镉汞红外探测器 | 第11-12页 |
| 1.2 碲镉汞光导器件工艺 | 第12-14页 |
| 1.2.1 抛光工艺 | 第12-13页 |
| 1.2.2 刻蚀工艺 | 第13-14页 |
| 1.3 研究内容和结构安排 | 第14-15页 |
| 第二章 抛光条件与亚表面损伤深度的研究 | 第15-30页 |
| 2.1 化学机械抛光 | 第15-16页 |
| 2.1.1 抛光液 | 第15页 |
| 2.1.2 抛光工艺要素 | 第15页 |
| 2.1.3 抛光理论建模 | 第15-16页 |
| 2.2 亚表面损伤 | 第16-17页 |
| 2.2.1 亚表面损伤层 | 第16-17页 |
| 2.2.2 亚表面损伤检测方法 | 第17页 |
| 2.3 抛光产生的亚表面损伤正交试验 | 第17-21页 |
| 2.3.1 粗抛正交实验 | 第17-19页 |
| 2.3.2 精抛正交实验 | 第19-20页 |
| 2.3.3 正交实验结论 | 第20-21页 |
| 2.4 亚表面损伤的回归分析 | 第21-29页 |
| 2.4.1 回归分析方法 | 第21页 |
| 2.4.2 回归分析原理 | 第21-23页 |
| 2.4.3 粗抛正交试验的回归分析 | 第23-26页 |
| 2.4.4 精抛正交试验的回归分析 | 第26-28页 |
| 2.4.5 回归分析结论 | 第28-29页 |
| 2.5 本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 亚表面损伤对碲镉汞材料和光导器件性能的影响 | 第30-41页 |
| 3.1 去除不同深度亚表面损伤对碲镉汞材料的影响 | 第30-35页 |
| 3.1.1 少子寿命 | 第30-33页 |
| 3.1.2 霍尔测试 | 第33-35页 |
| 3.2 去除不同深度的亚表面损伤对碲镉汞光导器件性能的影响 | 第35-40页 |
| 3.2.1 拐点电阻 | 第35-36页 |
| 3.2.2 响应光谱 | 第36-37页 |
| 3.2.3 光电性能 | 第37-40页 |
| 3.3 本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 不同干法刻蚀技术对碲镉汞光导器件造成的损伤研究 | 第41-57页 |
| 4.1 干法刻蚀 | 第41-42页 |
| 4.1.1 离子束刻蚀 | 第41页 |
| 4.1.2 电感耦合等离子体刻蚀 | 第41-42页 |
| 4.1.3 刻蚀诱导损伤 | 第42页 |
| 4.2 迁移率谱理论 | 第42-45页 |
| 4.3 载流子散射机制 | 第45页 |
| 4.4 不同干法刻蚀技术制备的碲镉汞光导器件 | 第45-51页 |
| 4.4.1 霍尔测试 | 第46-49页 |
| 4.4.2 光电性能测试 | 第49-51页 |
| 4.5 温度可靠性实验 | 第51-56页 |
| 4.5.1 霍尔测试 | 第51-53页 |
| 4.5.2 光电性能 | 第53-56页 |
| 4.6 本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 全文总结与展望 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第65-66页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第66页 |
