缺陷诱导纳米氧化物（ABO_x）室温磁性和铋硫化合物各向异性热电性能研究
| 中文摘要 | 第3-6页 |
| 英文摘要 | 第6-9页 |
| 1 绪论 | 第12-36页 |
| 1.1 自旋电子学简介 | 第12-16页 |
| 1.1.1 自旋电子学概念 | 第12-14页 |
| 1.1.2 自旋电子学的进展 | 第14页 |
| 1.1.3 自旋电子学的尺度 | 第14-16页 |
| 1.1.4 新一代自旋电子学 | 第16页 |
| 1.2 热电效应简介 | 第16-19页 |
| 1.3 半导体的热电性质 | 第19-32页 |
| 1.3.1 玻尔兹曼输运理论 | 第19-22页 |
| 1.3.2 改善半导体热电性质的方法 | 第22-32页 |
| 1.4 本文的研究内容及创新点 | 第32-36页 |
| 2 氧空位诱导立方相BaNbO_3的磁性研究 | 第36-56页 |
| 2.1 研究背景 | 第36页 |
| 2.2 材料的制备 | 第36-42页 |
| 2.2.1 材料的制备 | 第36-37页 |
| 2.2.2 材料的表征 | 第37-42页 |
| 2.3 理论计算细节 | 第42-43页 |
| 2.4 光学和磁学性质 | 第43-54页 |
| 2.5 本章小结 | 第54-56页 |
| 3 氧空位诱导四方相BaMoO_4的磁性研究 | 第56-76页 |
| 3.1 研究背景 | 第56页 |
| 3.2 材料的制备 | 第56-62页 |
| 3.2.1 材料的制备 | 第56-57页 |
| 3.2.2 材料的表征 | 第57-62页 |
| 3.3 理论计算细节 | 第62-63页 |
| 3.4 光学和磁学性质 | 第63-74页 |
| 3.5 本章小结 | 第74-76页 |
| 4 氧空位诱导单斜相CdWO_4的磁性研究 | 第76-100页 |
| 4.1 研究背景 | 第76页 |
| 4.2 材料的制备 | 第76-83页 |
| 4.2.1 材料的制备 | 第76-77页 |
| 4.2.2 材料的表征 | 第77-83页 |
| 4.3 理论计算细节 | 第83页 |
| 4.4 光学和磁学性质 | 第83-99页 |
| 4.5 本章小结 | 第99-100页 |
| 5 Bi_2S_3 各向异性热电性能研究 | 第100-112页 |
| 5.1 研究背景 | 第100页 |
| 5.2 理论计算细节 | 第100-102页 |
| 5.3 电子结构 | 第102-105页 |
| 5.4 热电性质 | 第105-111页 |
| 5.5 本章小结 | 第111-112页 |
| 6 Bi_2Se_3 单层各向异性热电性能研究 | 第112-128页 |
| 6.1 研究背景 | 第112页 |
| 6.2 理论计算细节 | 第112-114页 |
| 6.3 电子结构 | 第114-116页 |
| 6.4 热电性质 | 第116-126页 |
| 6.5 本章小结 | 第126-128页 |
| 7 Bi2_O_2Se各向异性热电性能研究 | 第128-152页 |
| 7.1 研究背景 | 第128页 |
| 7.2 理论计算细节 | 第128-129页 |
| 7.3 电子结构 | 第129-133页 |
| 7.4 热电性质 | 第133-150页 |
| 7.5 小结 | 第150-152页 |
| 8 结论与展望 | 第152-156页 |
| 8.1 主要结论 | 第152-154页 |
| 8.2 展望 | 第154-156页 |
| 致谢 | 第156-158页 |
| 参考文献 | 第158-172页 |
| 附录 | 第172-173页 |
| A. 作者在攻读学位期间发表的论文目录 | 第172-173页 |
| B. 作者在攻读博士期间掺加的科研项目及得奖情况 | 第173页 |
| B.1 主持项目 | 第173页 |
| B.2 掺与项目 | 第173页 |
| B.3 获奖情况 | 第173页 |
