| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-60页 |
| 1.1 引言 | 第12-13页 |
| 1.2 TiO_2材料的结构性质及应用 | 第13-15页 |
| 1.3 界面极性与二维电子气的形成调节机制 | 第15-24页 |
| 1.3.1 金属半导体接触界面的类型 | 第15-17页 |
| 1.3.2 表面态对界面能带的调节作用 | 第17-18页 |
| 1.3.3 界面极性与电荷转移 | 第18-20页 |
| 1.3.4 薄膜中的二维电子气体系 | 第20-22页 |
| 1.3.5 氧空位对表面输运性质的调节作用 | 第22-24页 |
| 1.4 5d金属氧化物中的电子结构和输运性质 | 第24-27页 |
| 1.4.1 自旋轨道耦合作用 | 第24页 |
| 1.4.2 5d金属氧化物的能带结构和新奇输运性质 | 第24-26页 |
| 1.4.3 5d金属氧化物的绝缘基态形成机制 | 第26-27页 |
| 1.5 铱氧化物的基态输运行为和调控方法 | 第27-36页 |
| 1.5.1 铱氧化物的基态行为 | 第27-33页 |
| 1.5.1.1 CaIrO_3的晶体结构和制备方法 | 第27-30页 |
| 1.5.1.2 CaIrO_3的基态行为 | 第30-31页 |
| 1.5.1.3 SrIrO_3的基态行为 | 第31-32页 |
| 1.5.1.4 BaIrO_3的基态行为 | 第32-33页 |
| 1.5.2 铱氧化物的基态行为的调节 | 第33-36页 |
| 1.6 铱氧化物能带的拓扑结构和对称性破缺 | 第36-40页 |
| 1.6.1 铱氧化物的布里渊区高对称点 | 第36-38页 |
| 1.6.2 对称性破缺对铱氧化物能带结构的影响 | 第38-40页 |
| 1.7 钙钛矿氧化物薄膜中的应变和驰豫方式 | 第40-48页 |
| 1.7.1 钙钛矿氧化物的晶体结构和对称性 | 第40-42页 |
| 1.7.2 异质结中的八面体形变和扭转/倾斜行为 | 第42-45页 |
| 1.7.3 钙钛矿薄膜中的应力-八面体耦合 | 第45-47页 |
| 1.7.4 钙钛矿异质界面处的八面体耦合 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-60页 |
| 第二章 样品制备放方法和性能表征手段 | 第60-72页 |
| 2.1 引言 | 第60页 |
| 2.2 靶材制备 | 第60-61页 |
| 2.3 激光脉冲沉积氧化物单晶薄膜 | 第61-62页 |
| 2.4 薄膜样品的结构表征方法 | 第62-68页 |
| 2.4.1 X射线衍射 | 第62-64页 |
| 2.4.2 X射线高分辨倒易图 | 第64-65页 |
| 2.4.3 X射线结构分析 | 第65-68页 |
| 2.4.3.1 测量单层膜和多层膜的厚度 | 第65-66页 |
| 2.4.3.2 外延薄膜的应变和应变弛豫分析 | 第66-67页 |
| 2.4.3.3 确定薄膜/衬底的外延取向关系 | 第67-68页 |
| 2.5 薄膜表面形貌的表征 | 第68-69页 |
| 2.6 外延薄膜的低温电磁输运性质 | 第69-70页 |
| 2.6.1 低温测量系统 | 第69页 |
| 2.6.2 电输运性质与磁性的测量 | 第69-70页 |
| 2.7 本章小结 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-72页 |
| 第三章 TiO_2同质结中金属绝缘转变行为的调控 | 第72-86页 |
| 3.1 引言 | 第72-74页 |
| 3.2 TiO_2同质结的制备以及形貌表征 | 第74-77页 |
| 3.3 实验数据分析与讨论 | 第77-82页 |
| 3.3.1 单晶层厚度对TiO_2同质结电输运行为的影响 | 第77-80页 |
| 3.3.2 二维电子气与界面无序及氧空位浓度的关系 | 第80-82页 |
| 3.4 本章小结 | 第82-84页 |
| 参考文献 | 第84-86页 |
| 第四章 CaIrO_3薄膜中金属绝缘转变行为的调控 | 第86-104页 |
| 4.1 引言 | 第86-88页 |
| 4.2 CaIrO_3单晶薄膜的制备及结构表征 | 第88-92页 |
| 4.2.1 纯相CaIrO_3靶材的制备 | 第88-92页 |
| 4.3 实验数据分析与讨论 | 第92-100页 |
| 4.3.1 CaIrO_3薄膜中电输运行为和八面体扭转 | 第92-98页 |
| 4.3.2 CaIrO_3薄膜中的各向异性电输运行为 | 第98-100页 |
| 4.4 本章小结 | 第100-101页 |
| 参考文献 | 第101-104页 |
| 硕士在读期间的学术成果 | 第104-105页 |
| 致谢 | 第105页 |
