| 摘要 | 第12-14页 |
| ABSTRACT | 第14-16页 |
| 第一章 绪论 | 第17-29页 |
| 1.1 立题背景及意义 | 第17-18页 |
| 1.2 硅单晶中的缺陷及硅片的热处理工艺 | 第18-24页 |
| 1.2.1 硅单晶中的主要缺陷 | 第18-20页 |
| 1.2.2 单晶硅片的热处理工艺 | 第20-24页 |
| 1.3 单晶硅片热处理的研究进展 | 第24-27页 |
| 1.3.1 实验研究 | 第24-26页 |
| 1.3.2 计算机数值模拟研究 | 第26-27页 |
| 1.4 本文的技术路线和研究内容 | 第27-29页 |
| 1.4.1 技术路线 | 第27页 |
| 1.4.2 研究内容 | 第27-29页 |
| 第二章 相场理论与相场模型 | 第29-41页 |
| 2.1 引言 | 第29页 |
| 2.2 相变理论 | 第29-31页 |
| 2.2.1 相变 | 第29页 |
| 2.2.2 朗道(Landau)二级相变理论 | 第29-30页 |
| 2.2.3 形核理论和固态扩散理论 | 第30-31页 |
| 2.3 相场法基本理论 | 第31-34页 |
| 2.3.1 相场法基本概念 | 第31页 |
| 2.3.2 相界面 | 第31-32页 |
| 2.3.3 系统自由能方程 | 第32-33页 |
| 2.3.4 控制方程 | 第33-34页 |
| 2.4 相场法模拟流程 | 第34-39页 |
| 2.4.1 相场模型构建 | 第35页 |
| 2.4.2 数值解析 | 第35-36页 |
| 2.4.3 模拟区域及网格划分 | 第36页 |
| 2.4.4 离散化处理 | 第36-38页 |
| 2.4.5 边界条件 | 第38页 |
| 2.4.6 模拟流程图 | 第38-39页 |
| 2.5 模拟假设 | 第39-40页 |
| 2.5.1 材料假设 | 第39-40页 |
| 2.5.2 模拟假设 | 第40页 |
| 2.6 本章小结 | 第40-41页 |
| 第三章 氧聚集体低温退火阶段演变的相场模型 | 第41-57页 |
| 3.1 引言 | 第41页 |
| 3.2 氧聚集体演变相场模型的构建 | 第41-48页 |
| 3.2.1 场变量的引入 | 第41-43页 |
| 3.2.2 系统自由能方程 | 第43-44页 |
| 3.2.3 控制方程及无量纲处理 | 第44-47页 |
| 3.2.4 模拟流程及算法 | 第47-48页 |
| 3.3 氧聚集体演变相场模型的检验 | 第48-50页 |
| 3.3.1 模拟环境的设定 | 第48-49页 |
| 3.3.2 初始模拟条件的选取 | 第49页 |
| 3.3.3 模拟参数的确定 | 第49-50页 |
| 3.4 相场模拟结果及分析 | 第50-56页 |
| 3.4.1 氧聚集体演变过程的模拟结果及分析 | 第50-51页 |
| 3.4.2 不同初始空位浓度下氧聚集体演变的模拟结果及分析 | 第51-54页 |
| 3.4.3 模拟结果的讨论 | 第54-55页 |
| 3.4.4 实验检验 | 第55-56页 |
| 3.5 本章小结 | 第56-57页 |
| 第四章 初始空位浓度和退火温度对硅片中氧聚集体影响的相场模拟 | 第57-73页 |
| 4.1 引言 | 第57页 |
| 4.2 火温度对硅片中氧聚集体演变影响的相场模拟 | 第57-60页 |
| 4.2.1 模拟条件 | 第57-58页 |
| 4.2.2 模拟结果 | 第58-59页 |
| 4.2.3 模拟结果的讨论与分析 | 第59-60页 |
| 4.3 响应面优化法 | 第60-63页 |
| 4.3.1 优化算法 | 第60-61页 |
| 4.3.2 响应面优化法(Response Surface Method) | 第61-63页 |
| 4.4 初始空位浓度和退火温度对硅片中氧聚集体演变的综合影响 | 第63-70页 |
| 4.4.1 模拟方案 | 第63-65页 |
| 4.4.2 模拟结果的分析与讨论 | 第65-70页 |
| 4.5 本章小结 | 第70-73页 |
| 第五章 氧沉淀高温退火阶段演变的相场模型 | 第73-89页 |
| 5.1 引言 | 第73页 |
| 5.2 氧沉淀演变相场模型的构建 | 第73-79页 |
| 5.2.1 初始模拟变量及条件 | 第73-74页 |
| 5.2.2 系统自由能方程 | 第74-76页 |
| 5.2.3 控制方程及无量纲处理 | 第76-79页 |
| 5.2.4 模拟流程及算法 | 第79页 |
| 5.3 氧沉淀演变相场模型的检验 | 第79-82页 |
| 5.3.1 模拟环境的设定 | 第79-80页 |
| 5.3.2 初始模拟条件的选取 | 第80页 |
| 5.3.3 模拟参数的设定 | 第80-81页 |
| 5.3.4 γ值的选取 | 第81-82页 |
| 5.4 相场模拟结果及分析 | 第82-87页 |
| 5.4.1 氧沉淀演变过程的模拟结果及分析 | 第82-84页 |
| 5.4.2 不同退火温度下氧沉淀演变的模拟结果及分析 | 第84-86页 |
| 5.4.3 模拟结果的讨论与检验 | 第86-87页 |
| 5.5 本章小结 | 第87-89页 |
| 第六章 结论与展望 | 第89-93页 |
| 6.1 主要研究工作和结论 | 第89-90页 |
| 6.2 进一步研究工作的建议 | 第90-93页 |
| 参考文献 | 第93-99页 |
| 致谢 | 第99-101页 |
| 攻读硕士学位期间完成的论文 | 第101-102页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第102页 |
