| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 前言 | 第12-44页 |
| 1.1 有机场效应晶体管简介 | 第12-19页 |
| 1.1.1 引言 | 第12页 |
| 1.1.2 有机场效应晶体管的研究进展 | 第12-14页 |
| 1.1.3 有机场效应晶体管的结构及工作原理 | 第14-16页 |
| 1.1.4 有机场效应晶体管的性能参数 | 第16-19页 |
| 1.2 有机半导体材料的发展 | 第19-34页 |
| 1.2.1 有机半导体材料分类 | 第19-22页 |
| 1.2.2 噻吩类有机半导体材料结构的发展 | 第22-34页 |
| 1.3 课题内容及研究思路 | 第34-36页 |
| 参考文献 | 第36-44页 |
| 第二章 简单芳基取代ss-DTT系列衍生物的场效应性能研究 | 第44-54页 |
| 2.1 有机薄膜制备及表征 | 第44-50页 |
| 2.1.1 薄膜的原子力形貌分析 | 第46-48页 |
| 2.1.2 薄膜的X射线衍射分析 | 第48-49页 |
| 2.1.3 薄膜的紫外可见吸收光谱分析 | 第49-50页 |
| 2.2 有机场效应晶体管性能 | 第50-53页 |
| 2.3 本章小结 | 第53-54页 |
| 第三章 三种长共轭结构的bb-DTT衍生物的场效应性能研究 | 第54-72页 |
| 3.1 有机薄膜制备及表征 | 第54-62页 |
| 3.1.1 薄膜的原子力形貌分析 | 第54-55页 |
| 3.1.2 薄膜的X射线衍射分析 | 第55-57页 |
| 3.1.3 薄膜的紫外可见吸收光谱分析 | 第57-59页 |
| 3.1.4 能级分析 | 第59-62页 |
| 3.2 有机场效应晶体管性能 | 第62-70页 |
| 3.2.1 化合物W-5的OFETs性能 | 第62-64页 |
| 3.2.2 化合物W-6的OFETs性能 | 第64-67页 |
| 3.2.3 化合物W-7的OFETs性能 | 第67-70页 |
| 3.3 本章小结 | 第70-72页 |
| 第四章 bt-DTT系列衍生物的场效应性能研究 | 第72-106页 |
| 4.1 有机薄膜制备及表征 | 第72-85页 |
| 4.1.1 薄膜的原子力形貌分析 | 第73-76页 |
| 4.1.2 薄膜的X射线衍射分析 | 第76-79页 |
| 4.1.3 薄膜的紫外可见吸收光谱分析 | 第79-82页 |
| 4.1.4 能级分析 | 第82-85页 |
| 4.2 有机场效应晶体管性能 | 第85-105页 |
| 4.2.1 化合物TM-1的OFETs性能 | 第85-87页 |
| 4.2.2 化合物TM-2的OFETs性能 | 第87-88页 |
| 4.2.3 化合物TM-3的OFETs性能 | 第88-89页 |
| 4.2.4 化合物TM-4的OFETs性能 | 第89-91页 |
| 4.2.5 化合物TM-5的OFETs性能 | 第91-92页 |
| 4.2.6 化合物TM-6的OFETs性能 | 第92-94页 |
| 4.2.7 化合物TM-7的OFETs性能 | 第94-96页 |
| 4.2.8 化合物TM-8的OFETs性能 | 第96-97页 |
| 4.2.9 化合物TM-10的OFETs性能 | 第97-98页 |
| 4.2.10 化合物TM-11的OFETs性能 | 第98-100页 |
| 4.2.11 化合物TM-12的OFETs性能 | 第100-102页 |
| 4.2.12 结构与性能关系分析总结 | 第102-105页 |
| 4.3 本章小结 | 第105-106页 |
| 第五章 结束语 | 第106-108页 |
| 5.1 主要结论 | 第106-107页 |
| 5.2 存在不足 | 第107-108页 |
| 致谢 | 第108-109页 |