| 中文摘要 | 第3-5页 |
| 英文摘要 | 第5-6页 |
| 1 引言 | 第9-25页 |
| 1.1 概述 | 第9-10页 |
| 1.2 金属铜表面氧化研究现状 | 第10-21页 |
| 1.2.1 氧气在铜金属表面吸附与解离 | 第10-19页 |
| 1.2.2 铜金属表面上氧化薄膜的形成 | 第19-21页 |
| 1.3 选题思路与依据 | 第21-22页 |
| 1.4 研究目标以及研究内容 | 第22-25页 |
| 1.4.1 研究目标 | 第22页 |
| 1.4.2 研究内容 | 第22-25页 |
| 2 理论基础与计算方法 | 第25-33页 |
| 2.1 薛定谔方程 | 第25页 |
| 2.2 HOHENBURG-KOHN定理和KOHN-SHAM方程 | 第25-26页 |
| 2.3 交换关联泛函 | 第26-27页 |
| 2.4 赝势 | 第27-28页 |
| 2.5 过渡态理论 | 第28-29页 |
| 2.6 化学反应动力学 | 第29-30页 |
| 2.7 第一性原理软件包VASP简介 | 第30-33页 |
| 3 Cu低指数晶面氧化中间产物模型和结构属性研究 | 第33-41页 |
| 3.1 氧气在CU(100)表面的吸附以及重组结构特征 | 第33-35页 |
| 3.2 氧气在CU(110)表面的吸附以及重组结构特征 | 第35-38页 |
| 3.3 氧气在CU(111)表面的吸附以及重组结构特征 | 第38-39页 |
| 3.4 本章小结 | 第39-41页 |
| 4 缺失行重组结构在Cu(100)表面形成的机理研究 | 第41-57页 |
| 4.1 引言 | 第41-42页 |
| 4.2 计算方法 | 第42页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第42-56页 |
| 4.3.1 Cu原子溢出(MRR重组结构成核) | 第42-43页 |
| 4.3.2 Cu-O单元体生长与扩散 | 第43-53页 |
| 4.3.3 Cu-O单元体的旋转 | 第53-54页 |
| 4.3.4 Cu原子在空位旁溢出 | 第54-55页 |
| 4.3.5 辅助实验论证 | 第55-56页 |
| 4.4 本章小结 | 第56-57页 |
| 5 缺失行氧化岛在Cu(100)表面形成的机理研究 | 第57-63页 |
| 5.1 引言 | 第57页 |
| 5.2 计算方法 | 第57页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第57-61页 |
| 5.3.1 与基底平行的缺失行氧化岛形成机理 | 第57-59页 |
| 5.3.2 与基底垂直的缺失行氧化岛形成机理 | 第59-61页 |
| 5.4 本章小结 | 第61-63页 |
| 6 Cu-(2×1)-O重组结构在Cu(110)表面形成的机理研究 | 第63-77页 |
| 6.1 引言 | 第63页 |
| 6.2 计算方法 | 第63-64页 |
| 6.3 结果与讨论 | 第64-74页 |
| 6.3.1 Cu(110)-(2×1)重组结构形成于平台处 | 第64-68页 |
| 6.3.2 Cu(110)-(2×1)重组结构形成于台阶处 | 第68-74页 |
| 6.4 本章小结 | 第74-77页 |
| 7 低指数Cu晶面在高氧浓度下的氧化 | 第77-91页 |
| 7.1 引言 | 第77-78页 |
| 7.2 计算方法 | 第78-79页 |
| 7.3 结果与讨论 | 第79-90页 |
| 7.3.1 Cu(100)晶面的次表层氧化 | 第79-83页 |
| 7.3.2 Cu(110)晶面的次表层氧化 | 第83-87页 |
| 7.3.3 Cu(111)晶面的次表层氧化 | 第87-89页 |
| 7.3.4 讨论 | 第89-90页 |
| 7.4 本章小结 | 第90-91页 |
| 8 结论与展望 | 第91-95页 |
| 8.1 结论 | 第91-93页 |
| 8.2 本论文的特色与创新之处 | 第93页 |
| 8.3 展望 | 第93-95页 |
| 致谢 | 第95-97页 |
| 参考文献 | 第97-109页 |
| 附录 | 第109-110页 |
| A. 攻读博士期间发表的学术论文目录 | 第109-110页 |
| B. 攻读博士学位期间申请专利目录 | 第110页 |
| C. 攻读博士学位期间主持和参与的科研项目 | 第110页 |
