| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| ·引言 | 第11页 |
| ·ZnO 的基本性质和应用 | 第11-14页 |
| ·ZnO 的基本性质 | 第11-12页 |
| ·ZnO 的应用 | 第12-14页 |
| ·光电器件 | 第13页 |
| ·表面声波器件 | 第13页 |
| ·其它应用 | 第13-14页 |
| ·ZnO 薄膜的制备方法及研究进展 | 第14-20页 |
| ·磁控溅射法(MS) | 第14-15页 |
| ·溶胶-凝胶法(Sol-gel) | 第15页 |
| ·脉冲激光沉积法(PLD) | 第15-16页 |
| ·分子束外延(MBE) | 第16-18页 |
| ·化学气相沉积(CVD) | 第18-19页 |
| ·单源化学气相沉积(SSCVD) | 第19-20页 |
| ·本论文研究目的和意义 | 第20-21页 |
| 第二章 Au 缓冲层上制备ZnO 薄膜 | 第21-32页 |
| ·引言 | 第21页 |
| ·ZnO 薄膜的常规测试表征 | 第21-24页 |
| ·X 射线衍射仪(XRD) | 第21-23页 |
| ·扫描电镜(SEM) | 第23-24页 |
| ·实验流程 | 第24-26页 |
| ·ZnO 薄膜的制备 | 第26-31页 |
| ·Au 缓冲层上制备ZnO 薄膜 | 第26-27页 |
| ·衬底温度对 Au/Si02衬底上 ZnO 薄膜的影响 | 第27-30页 |
| ·Au/Si02衬底上ZnO 薄膜的PL 谱 | 第30-31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 Al_2O_3衬底上异质外延生长 ZnO 薄膜 | 第32-50页 |
| ·工艺条件优化 | 第32-36页 |
| ·源温度对 ZnO 薄膜微结构的影响 | 第32-33页 |
| ·衬底温度对 ZnO 薄膜微结构的影响 | 第33-35页 |
| ·沉积时间对 ZnO 薄膜微结构的影响 | 第35-36页 |
| ·优化条件下外延生长 ZnO 薄膜 | 第36-40页 |
| ·XRD 对a 面ZnO 薄膜的测试结果 | 第40-48页 |
| ·XRD 对ZnO 薄膜面内取向表征技术 | 第40-43页 |
| ·ω扫描及面内φ扫描确定薄膜与衬底外延关系 | 第40-41页 |
| ·倒易空间(RSM)强度分布图 | 第41-43页 |
| ·a 面ZnO 薄膜应力状况 | 第43-45页 |
| ·a 面ZnO 薄膜与r 面A1203衬底外延取向关系 | 第45-47页 |
| ·a 面ZnO 薄膜的倒易空间(RSM)图 | 第47-48页 |
| ·本章小结 | 第48-50页 |
| 第四章 ZnO 薄膜的光学性能研究 | 第50-64页 |
| ·ZnO 薄膜的光致发光 | 第50-56页 |
| ·光致发光原理 | 第50-51页 |
| ·ZnO 薄膜的光致发光特性 | 第51-53页 |
| ·ZnO 薄膜的光致发光谱 | 第53-56页 |
| ·ZnO 薄膜的拉曼散射 | 第56-61页 |
| ·拉曼散射原理 | 第56-58页 |
| ·拉曼散射在薄膜中的应用 | 第58页 |
| ·ZnO 薄膜的拉曼散射谱 | 第58-61页 |
| ·ZnO 薄膜的透射率 | 第61-62页 |
| ·本章小结 | 第62-64页 |
| 第五章 ZnO 薄膜的p 型掺杂 | 第64-71页 |
| ·引言 | 第64页 |
| ·N 掺杂源的可行性研究 | 第64-65页 |
| ·确定的实验方案 | 第65页 |
| ·实验结论 | 第65-69页 |
| ·形貌分析 | 第65页 |
| ·结构分析 | 第65-66页 |
| ·电学性能 | 第66-69页 |
| ·霍尔效应 | 第66-68页 |
| ·ZnO 薄膜的测试结果及讨论 | 第68-69页 |
| ·本章小结 | 第69-71页 |
| 第六章 结论 | 第71-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-79页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第79-80页 |
