硅纳米结构制备及其在传感器件上的应用
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 1 绪论 | 第8-22页 |
| 1.1 气敏传感器简介 | 第8-16页 |
| 1.1.1 传感器 | 第8页 |
| 1.1.2 气敏传感器 | 第8-11页 |
| 1.1.3 电阻式半导体气敏传感器 | 第11-14页 |
| 1.1.4 电阻式半导体气敏传感器的气敏机理 | 第14-15页 |
| 1.1.5 电阻式半导体气敏传感器的主要特性参数 | 第15页 |
| 1.1.6 半导体气敏传感器尚待解决的问题 | 第15-16页 |
| 1.2 硅材料简介 | 第16-19页 |
| 1.2.1 硅材料的性质 | 第16-17页 |
| 1.2.2 硅纳米线的性能 | 第17-19页 |
| 1.3 硅纳米线的应用 | 第19-20页 |
| 1.3.1 纳米传感器 | 第19-20页 |
| 1.3.2 p-n结 | 第20页 |
| 1.3.3 场效应晶体管 | 第20页 |
| 1.3.4 太阳能电池 | 第20页 |
| 1.4 本文研究内容 | 第20-22页 |
| 2 硅纳米材料的制备方法与表征方法 | 第22-30页 |
| 2.1 硅纳米线的制备方法 | 第22-24页 |
| 2.1.1 激光烧蚀法 | 第22页 |
| 2.1.2 模板法 | 第22-23页 |
| 2.1.3 化学气相输运法 | 第23页 |
| 2.1.4 热蒸发法 | 第23页 |
| 2.1.5 溶液法 | 第23-24页 |
| 2.2 硅纳米线生长机理 | 第24-26页 |
| 2.2.1 气-液-固（VLS）生长机理 | 第24页 |
| 2.2.2 氧化物辅助生长机理 | 第24-25页 |
| 2.2.3 固-液-固(SLS)生长机理 | 第25-26页 |
| 2.3 表征方法 | 第26-29页 |
| 2.3.1 扫描电子显微镜（SEM） | 第26-27页 |
| 2.3.2 X射线衍射（XRD） | 第27页 |
| 2.3.3 X射线能谱仪（EDS） | 第27-28页 |
| 2.3.4 光致发光谱（PL） | 第28页 |
| 2.3.5 透射电子显微镜（TEM） | 第28-29页 |
| 2.3.6 电学性能测量 | 第29页 |
| 2.4 本文使用的设备 | 第29-30页 |
| 3 硅纳米结构膜的制备与表征 | 第30-36页 |
| 3.1 硅纳米结构膜的生长 | 第30-32页 |
| 3.2 硅纳米结构膜的表征与分析 | 第32-35页 |
| 3.2.1 硅纳米结构膜的形成过程 | 第32页 |
| 3.2.2 金层厚度对硅纳米结构膜生长的影响 | 第32-33页 |
| 3.2.3 衬底位置对硅纳米结构的影响 | 第33-35页 |
| 3.2.4 EDS分析 | 第35页 |
| 3.3 本章小结 | 第35-36页 |
| 4 基于硅纳米结构的气体传感器 | 第36-46页 |
| 4.1 传感器的制备 | 第36-37页 |
| 4.2 实验结果分析 | 第37-44页 |
| 4.2.1 硅纳米结构膜酒精传感器 | 第37-41页 |
| 4.2.2 硅纳米结构膜氨气传感器 | 第41-44页 |
| 4.3 器件的传感机理 | 第44-45页 |
| 4.4 本章小结 | 第45-46页 |
| 结论 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-52页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第52-53页 |
| 致谢 | 第53页 |
