| 中文摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-26页 |
| 1.1 金属氧化物半导体气体传感器 | 第10-19页 |
| 1.1.1 金属氧化物半导体气体传感器概述 | 第10-13页 |
| 1.1.2 金属氧化物半导体气体传感器气敏机理 | 第13-14页 |
| 1.1.3 金属氧化物半导体气体传感器的应用 | 第14-19页 |
| 1.2 金属氧化物半导体纳米材料 | 第19-25页 |
| 1.2.1 金属氧化物半导体纳米材料的制备方法 | 第19-23页 |
| 1.2.2 几种常见的金属氧化物的气敏特性 | 第23-25页 |
| 1.3 本论文的研究意义和目的 | 第25-26页 |
| 第2章 In_2O_3纳米颗粒的制备与气敏特性研究 | 第26-38页 |
| 引言 | 第26页 |
| 2.1 In_2O_3纳米颗粒的制备与表征 | 第26-30页 |
| 2.2 In_2O_3纳米颗粒的光致发光光谱 | 第30-31页 |
| 2.3 In_2O_3纳米颗粒的气敏性质研究 | 第31-37页 |
| 2.4 本章小结 | 第37-38页 |
| 第3章 无规则 ZnO 超薄纳米片的制备与气敏特性研究 | 第38-46页 |
| 引言 | 第38页 |
| 3.1 无规则 ZnO 超薄纳米片的制备与表征 | 第38-40页 |
| 3.2 无规则 ZnO 超薄纳米片的 UV-vis 吸收光谱 | 第40-41页 |
| 3.3 无规则 ZnO 超薄纳米片的气敏特性 | 第41-45页 |
| 3.4 本章小结 | 第45-46页 |
| 第4章 葵花状 Ag-In_2O_3等级结构的构筑与气敏特性研究 | 第46-59页 |
| 引言 | 第46页 |
| 4.1 葵花状 Ag- In_2O_3等级结构的构筑与表征 | 第46-52页 |
| 4.2 葵花状 Ag-In_2O_3等级纳米结构的气敏特性研究 | 第52-58页 |
| 4.3 本章小结 | 第58-59页 |
| 第5章 In_2O_3-ZnO 等级结构的设计与气敏特性研究 | 第59-73页 |
| 引言 | 第59页 |
| 5.1 In_2O_3-ZnO 等级结构的构筑与表征 | 第59-66页 |
| 5.2 In_2O_3-ZnO 等级结构的气敏特性研究 | 第66-71页 |
| 5.3 本章小结 | 第71-73页 |
| 第6章 Pd_(0.5)Pd_3O_4-ZnO 等级结构的设计与气敏特性研究 | 第73-88页 |
| 引言 | 第73页 |
| 6.1 Pd_(0.5)Pd_3O_4-ZnO 等级结构的构筑与表征 | 第73-81页 |
| 6.2 Pd_(0.5)Pd_3O_4-ZnO 等级结构的气敏特性研究 | 第81-87页 |
| 6.3 本章小结 | 第87-88页 |
| 第7章 总结 | 第88-90页 |
| 参考文献 | 第90-106页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第106-108页 |
| 致谢 | 第108-109页 |
| 作者简历 | 第109页 |
