| 1.绪论 | 第5-17页 |
| 1.1.光伏发电概况 | 第5-7页 |
| 1.2.晶体硅太阳能电池发展简介 | 第7-14页 |
| 1.2.1.几种高效晶体硅太阳能电池 | 第9-12页 |
| 1.2.2.晶体硅太阳能电池钝化接触技术 | 第12-14页 |
| 1.3.晶体硅太阳能电池钝化接触工艺的发展状况 | 第14-15页 |
| 1.4.本文的主要工作 | 第15-17页 |
| 2.钝化接触理论 | 第17-25页 |
| 2.1.半导体表面复合与钝化 | 第17-20页 |
| 2.2.钝化接触结构的隧穿 | 第20-21页 |
| 2.3.多晶硅薄膜 | 第21-24页 |
| 2.3.1.非晶硅薄膜的生长机制 | 第21-23页 |
| 2.3.2.固相晶化 | 第23-24页 |
| 2.4.本章小结 | 第24-25页 |
| 3.样品制备与表征方法 | 第25-39页 |
| 3.1 实验方案 | 第25-29页 |
| 3.1.1.湿法化学制备SiO_2层工艺方案 | 第25-26页 |
| 3.1.2.快速热氧化制备SiO_2层工艺方案 | 第26页 |
| 3.1.3.多晶硅薄膜的制备工艺方案 | 第26-29页 |
| 3.2.实验设备 | 第29-31页 |
| 3.2.1.快速热处理炉 | 第29-30页 |
| 3.2.2.射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）系统 | 第30-31页 |
| 3.2.3.真空镀膜设备 | 第31页 |
| 3.3.实验步骤与过程 | 第31-33页 |
| 3.3.1.湿法化学氧化步骤 | 第31-32页 |
| 3.3.2.快速热氧化工艺步骤 | 第32-33页 |
| 3.3.3.非晶硅薄膜的沉积与退火 | 第33页 |
| 3.4.表征方法 | 第33-37页 |
| 3.4.1.椭圆偏振测试仪 | 第33-34页 |
| 3.4.2.少子寿命测试仪 | 第34-35页 |
| 3.4.3.Raman散射光谱仪 | 第35-36页 |
| 3.4.4.X射线衍射仪 | 第36-37页 |
| 3.4.5.Fourier变换红外光谱仪 | 第37页 |
| 3.5.本章小结 | 第37-39页 |
| 4.测试结果分析 | 第39-57页 |
| 4.1.SiO_2薄膜厚度 | 第39-40页 |
| 4.2.非晶硅薄膜沉积速率及折射率 | 第40-43页 |
| 4.3.薄膜微观结构 | 第43-48页 |
| 4.3.1.X射线衍射分析 | 第43-44页 |
| 4.3.2.FTIR分析 | 第44-46页 |
| 4.3.3.Raman散射光谱分析 | 第46-48页 |
| 4.4.薄膜暗电导率的分析 | 第48-49页 |
| 4.5.少子寿命测试结果分析 | 第49-52页 |
| 4.6.Ⅰ-Ⅴ特性分析 | 第52-53页 |
| 4.7.钝化接触太阳电池试制 | 第53-54页 |
| 4.8.本章小结 | 第54-57页 |
| 5.总结 | 第57-59页 |
| 致谢 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-63页 |