| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-25页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 低维碳基纳米材料电子结构和器件应用的研究进展 | 第11-21页 |
| 1.3 低维螺旋纳米材料电子结构和输运性质的研究进展 | 第21-24页 |
| 1.4 本文的研究工作与内容安排 | 第24-25页 |
| 第2章 基于密度泛函的非平衡格林函数方法 | 第25-32页 |
| 2.1 引言 | 第25页 |
| 2.2 密度泛函理论(DFT) | 第25-28页 |
| 2.2.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第26页 |
| 2.2.2 Kohn-Sham方程 | 第26-27页 |
| 2.2.3 交换关联泛函(Exchange-Correlation Functional) | 第27-28页 |
| 2.3 双电极器件模型的建立 | 第28-32页 |
| 2.3.1 非平衡密度矩阵 | 第29-30页 |
| 2.3.2 非平衡状态下体系电导的计算 | 第30-32页 |
| 第3章 硫原子边缘掺杂对螺旋型石墨烯分子异质结输运性质的影响 | 第32-40页 |
| 3.1 引言 | 第32页 |
| 3.2 构建螺旋型石墨烯分子-金异质结模型及计算方法 | 第32-34页 |
| 3.3 平衡条件下螺旋型石墨烯分子异质结电子结构及输运性质 | 第34-36页 |
| 3.4 非平衡条件下螺旋型石墨烯分子异质结的输运特征 | 第36-39页 |
| 3.5 本章小结 | 第39-40页 |
| 第4章 边缘异构调控螺旋型石墨烯自旋输运性质 | 第40-53页 |
| 4.1 引言 | 第40页 |
| 4.2 计算模型及方法 | 第40-41页 |
| 4.3 初始螺旋型石墨烯的自旋电子结构及输运性质 | 第41-42页 |
| 4.4 边缘异构螺旋型石墨烯P_1~n体系的自旋电子结构和输运特征 | 第42-46页 |
| 4.5 边缘异构螺旋型石墨烯P_2~n体系的自旋电子结构和输运特征 | 第46-49页 |
| 4.6 边缘异构螺旋型石墨烯P_3~1体系的自旋电子结构和输运特征 | 第49-51页 |
| 4.7 本章小结 | 第51-53页 |
| 第5章 轴向应力诱导边缘异构螺旋型石墨烯相变及自旋极化 | 第53-70页 |
| 5.1 引言 | 第53页 |
| 5.2 应力诱导初始螺旋型石墨烯电子结构变化特征 | 第53-55页 |
| 5.3 应力诱导边缘异构螺旋型P_1~1体系相变和自旋极化特征 | 第55-58页 |
| 5.4 应力诱导边缘异构螺旋型P_2~n体系相变和自旋极化特征 | 第58-62页 |
| 5.5 应力诱导边缘异构P_3~n,P_4~n,P_5~1,P_6~1体系相变和自旋极化特征 | 第62-68页 |
| 5.6 本章小结 | 第68-70页 |
| 结论 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-78页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文及其它成果 | 第78-80页 |
| 致谢 | 第80-81页 |
| 个人简历 | 第81页 |
