基于BiCMOS工艺的分布式衰减器研究和设计
| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-22页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第16-17页 |
| 1.2 衰减器研究现状 | 第17-19页 |
| 1.3 研究内容与论文结构 | 第19-22页 |
| 第二章 衰减器理论 | 第22-30页 |
| 2.1 衰减器主要技术指标 | 第22-23页 |
| 2.2 典型衰减结构 | 第23-28页 |
| 2.2.1 开关路径衰减结构 | 第23-24页 |
| 2.2.2 内嵌开关式衰减结构 | 第24-27页 |
| 2.2.3 分布式步进衰减结构 | 第27-28页 |
| 2.3 典型衰减结构特性对比 | 第28-29页 |
| 2.4 本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 片上传输线的设计实现 | 第30-40页 |
| 3.1 传输线基本理论 | 第30-33页 |
| 3.1.1 集总参数与分布参数概念 | 第30-31页 |
| 3.1.2 传输线等效模型 | 第31-32页 |
| 3.1.3 传输线特性参数 | 第32-33页 |
| 3.2 片上传输线典型结构 | 第33-34页 |
| 3.3 片上微带线的设计 | 第34-39页 |
| 3.3.1 工艺信息 | 第34-35页 |
| 3.3.2 片上微带线尺寸估算 | 第35-36页 |
| 3.3.3 片上微带线仿真验证 | 第36-39页 |
| 3.4 本章小结 | 第39-40页 |
| 第四章 基本衰减结构特性研究 | 第40-54页 |
| 4.1 内嵌开关式衰减结构特性研究 | 第40-48页 |
| 4.1.1 开关特性研究 | 第40-41页 |
| 4.1.2 深N阱晶体管和体悬浮技术 | 第41-45页 |
| 4.1.3 相对相移改善技术 | 第45-48页 |
| 4.2 分布式步进衰减结构特性研究 | 第48-52页 |
| 4.2.1 回波损耗特性研究 | 第48-50页 |
| 4.2.2 衰减平坦度特性研究 | 第50-52页 |
| 4.3 本章小结 | 第52-54页 |
| 第五章 分布式衰减器设计 | 第54-74页 |
| 5.1 基本衰减模块设计 | 第54-64页 |
| 5.1.1 小衰减模块的设计 | 第54-61页 |
| 5.1.2 大衰减模块的设计 | 第61-64页 |
| 5.2 整体分布式衰减器电路设计 | 第64-69页 |
| 5.2.1 电路原理图 | 第64-65页 |
| 5.2.2 仿真环境 | 第65-66页 |
| 5.2.3 仿真结果及分析 | 第66-69页 |
| 5.3 整体分布式衰减器版图设计 | 第69-70页 |
| 5.4 性能比较及分析 | 第70-71页 |
| 5.5 芯片测试 | 第71-73页 |
| 5.5.1 芯片测试方法 | 第71-72页 |
| 5.5.2 测试性能预测 | 第72-73页 |
| 5.6 本章小结 | 第73-74页 |
| 第六章 总结与展望 | 第74-76页 |
| 参考文献 | 第76-80页 |
| 致谢 | 第80-82页 |
| 作者简介 | 第82-83页 |
