| 中文摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-37页 |
| 1.1 一维半导体纳米材料的制备 | 第9-16页 |
| 1.1.1 气相沉积法 | 第9-12页 |
| 1.1.2 溶液合成法 | 第12-14页 |
| 1.1.3 模板法 | 第14-16页 |
| 1.2 光电探测器 | 第16-27页 |
| 1.2.1 基于一维半导体纳米材料的光电探测器 | 第16页 |
| 1.2.2 基于一维半导体纳米材料的光电探测器的工作原理 | 第16页 |
| 1.2.3 基于一维半导体纳米材料的光电探测器的常见结构 | 第16-27页 |
| 1.3 本文的研究内容 | 第27-28页 |
| 1.4 参考文献 | 第28-37页 |
| 第二章 图案化有机纳米线阵列的生长及其在场发射及光电探测器上的应用 | 第37-59页 |
| 2.1 引言 | 第37-38页 |
| 2.2 大面积图案化N型苝四甲酸二酐 (PTCDA) 纳米线阵列的生长 | 第38-44页 |
| 2.2.1 实验仪器与材料 | 第38页 |
| 2.2.2 大面积PTCDA纳米线阵列的制备 | 第38-41页 |
| 2.2.3 图案化PTCDA纳米线阵列的制备 | 第41-42页 |
| 2.2.4 PTCDA纳米线的生长机制 | 第42-44页 |
| 2.3 PTCDA纳米线的表征 | 第44-46页 |
| 2.3.1 PTCDA纳米线的XRD表征 | 第44-45页 |
| 2.3.2 PTCDA纳米线的TEM表征 | 第45-46页 |
| 2.3.3 PTCDA纳米线的紫外-可见吸收表征 | 第46页 |
| 2.4 纳米线阵列场发射 | 第46-49页 |
| 2.4.1 场发射器件制备与测试 | 第46-47页 |
| 2.4.2 结果与讨论 | 第47-49页 |
| 2.5 光电探测器 | 第49-53页 |
| 2.5.1 器件制备与测试 | 第49-50页 |
| 2.5.2 器件结果与讨论 | 第50-53页 |
| 2.6 本章小结 | 第53-54页 |
| 2.7 参考文献 | 第54-59页 |
| 第三章 基于Ge/CdS核/壳纳米线的高性能宽光谱光电探测器 | 第59-74页 |
| 3.1 引言 | 第59-60页 |
| 3.2 单晶Ge纳米线与Ge/CdS核/壳纳米线的制备 | 第60-61页 |
| 3.2.1 实验仪器与材料 | 第60页 |
| 3.2.2 大面积锗纳米线的合成 | 第60-61页 |
| 3.2.3 大面积Ge/CdS核/壳纳米线的制备 | 第61页 |
| 3.3 Ge纳米线与Ge/CdS核/壳纳米线的表征 | 第61-66页 |
| 3.3.1 Ge纳米线的表征 | 第61-63页 |
| 3.3.2 Ge/CdS核/壳纳米线的表征 | 第63-66页 |
| 3.4 基于Ge/CdS核/壳纳米线异质结构的光电探测器 | 第66-69页 |
| 3.4.1 光电探测器的制备与测试 | 第67-68页 |
| 3.4.2 光电探测器的结果与讨论 | 第68-69页 |
| 3.5 本章小结 | 第69-70页 |
| 3.6 参考文献 | 第70-74页 |
| 第四章 总结与展望 | 第74-76页 |
| 攻读学位期间本人出版或公开发表的论著、论文 | 第76-77页 |
| 致谢 | 第77-78页 |
