| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第5-12页 |
| 1.1 课题的背景和研究的意义 | 第5-9页 |
| 1.2 研究内容和论文结构 | 第9-12页 |
| 第二章 NOR Flash的概述 | 第12-26页 |
| 2.1 Flash技术的简单介绍 | 第12页 |
| 2.2 Flash基本结构 | 第12-14页 |
| 2.3 电荷的输运机制 | 第14-17页 |
| 2.4 NOR Flash的基本操作 | 第17-24页 |
| 2.5 存储器件的读写操作的干扰(disturb) | 第24-26页 |
| 第三章 ETOX 65nm NOR Flash工艺挑战 | 第26-32页 |
| 3.1 目前MOS的工艺挑战 | 第26页 |
| 3.2 ETOX NOR Flash基本结构 | 第26-28页 |
| 3.3 ETOX 65nm NOR Flash工艺挑战 | 第28-32页 |
| 第四章 65nm NOR Flash实现规模生产中的问题的分析和解决 | 第32-52页 |
| 4.1 失效分析技术 | 第32-35页 |
| 4.2 两次AA刻蚀的交界处的缺失 | 第35-40页 |
| 4.3 浮栅出现空洞 | 第40-46页 |
| 4.4 65nm NOR Flash CoSi的问题 | 第46-47页 |
| 4.5 65nm NOR Flash漏端接触孔的问题 | 第47-51页 |
| 4.6 65nm NOR Flash其他的问题 | 第51-52页 |
| 第五章 总结与展望 | 第52-56页 |
| 5.1 研究结论 | 第52页 |
| 5.2 展望 | 第52-56页 |
| 参考文献 | 第56-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
