与V型耦合腔波长可调谐激光器集成的电吸收调制器研究
| 致谢 | 第4-5页 |
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 1 绪论 | 第10-23页 |
| 1.1 波长可调谐激光器简介 | 第11-14页 |
| 1.2 激光器高速调制方法 | 第14-17页 |
| 1.2.1 直接调制与外调制 | 第14-15页 |
| 1.2.2 电光调制器与电吸收调制器 | 第15页 |
| 1.2.3 行波电极与集总电极 | 第15-17页 |
| 1.3 电吸收调制激光器单片集成方法 | 第17-20页 |
| 1.4 本文内容提要及主要创新点 | 第20-23页 |
| 1.4.1 本论文的章节安排 | 第20-21页 |
| 1.4.2 本论文的主要创新点 | 第21-23页 |
| 2 基本原理 | 第23-35页 |
| 2.1 V型耦合腔波长可调谐激光器简介 | 第23-25页 |
| 2.2 电吸收调制器简介 | 第25-29页 |
| 2.2.1 量子限制Stark效应 | 第26-28页 |
| 2.2.2 电吸收调制器主要性能参数 | 第28-29页 |
| 2.3 单片集成对调制器性能的影响 | 第29-33页 |
| 2.3.1 EML中的电耦合 | 第30-31页 |
| 2.3.2 EML中的光耦合 | 第31-33页 |
| 2.4 本章小结 | 第33-35页 |
| 3 集总型EML设计与模拟 | 第35-53页 |
| 3.1 InP-InGaAsP多量子阱材料特性 | 第35-39页 |
| 3.1.1 激光器区域量子阱外延片层状结构 | 第35-38页 |
| 3.1.2 调制器区域量子阱外延片层状结构 | 第38-39页 |
| 3.2 光波导结构 | 第39-47页 |
| 3.2.1 激光器光波导结构设计 | 第39-42页 |
| 3.2.2 调制器光波导结构设计 | 第42-45页 |
| 3.2.3 锥形光波导过渡结构设计 | 第45-47页 |
| 3.3 调制器电路模型和等效网络分析 | 第47-51页 |
| 3.3.1 电吸收调制器小信号电路模型 | 第48-49页 |
| 3.3.2 等效网路分析 | 第49-51页 |
| 3.4 本章小结 | 第51-53页 |
| 4 EML调制带宽优化设计 | 第53-68页 |
| 4.1 优化设计基础 | 第53-57页 |
| 4.1.1 HFSS简介 | 第53-55页 |
| 4.1.2 EML材料参数 | 第55-57页 |
| 4.2 EML层状结构与外部尺寸优化 | 第57-63页 |
| 4.2.1 EML层状结构优化 | 第58-60页 |
| 4.2.2 EAM外部尺寸优化 | 第60-63页 |
| 4.3 EML匹配电阻与封装设计优化 | 第63-67页 |
| 4.3.1 EML高速热沉匹配电阻优化 | 第64-66页 |
| 4.3.2 EML高速热沉封装设计优化 | 第66-67页 |
| 4.4 本章小结 | 第67-68页 |
| 5 元件制作与测试 | 第68-80页 |
| 5.1 EML制作与电子显微镜扫描结果 | 第68-72页 |
| 5.1.1 EML制作步骤摘要 | 第68-71页 |
| 5.1.2 样品电子显微镜扫描结果 | 第71-72页 |
| 5.2 EML高频性能测试方法 | 第72-76页 |
| 5.2.1 测试系统的校准 | 第72-75页 |
| 5.2.2 测试流程概述 | 第75-76页 |
| 5.3 EML测试结果与分析 | 第76-79页 |
| 5.4 本章小结 | 第79-80页 |
| 6 总结与展望 | 第80-83页 |
| 6.1 单片集成EML优化设计总结 | 第80-81页 |
| 6.2 未来发展方向 | 第81-83页 |
| 参考文献 | 第83-87页 |
| 作者简介 | 第87页 |
| 个人简介 | 第87页 |
| 主要学术成果 | 第87页 |
