摘要 | 第8-10页 |
ABSTRACT | 第10-11页 |
第一章 绪论 | 第13-37页 |
1.1 引言 | 第13-14页 |
1.2 半导体光催化的基本原理及发展历程 | 第14-16页 |
1.3 复合半导体光催化剂的研究现状 | 第16-18页 |
1.4 g-C_3N_4基复合光催化剂的研究现状 | 第18-22页 |
1.4.1 g-C_3N_4单体光催化剂简介 | 第18-19页 |
1.4.2 g-C_3N_4基复合光催化剂的研究现状 | 第19-22页 |
1.5 本文选题思路及主要研究内容 | 第22-25页 |
1.5.1 本论文的选题思想 | 第22-23页 |
1.5.2 本论文的研究内容 | 第23-25页 |
参考文献 | 第25-37页 |
第二章 g-C_3N_4/Bi_2MoO_6异质结光催化剂的制备及増强的可见光光催化性能的实验与理论研究 | 第37-55页 |
2.1 引言 | 第37-39页 |
2.2 实验部分 | 第39-41页 |
2.2.1 g-C_3N_4Bi_2MoO_6异质结光催化剂的制备 | 第39页 |
2.2.2 测试表征仪器 | 第39-40页 |
2.2.3 光催化测试 | 第40页 |
2.2.4 光电化学测试 | 第40页 |
2.2.5 计算参数 | 第40-41页 |
2.3 结果与讨论 | 第41-50页 |
2.3.1 g-C_3N_4/Bi_2MoO_6异质结光催化剂的结构、化学组成、形貌及光学性能研究 | 第41-45页 |
2.3.2 g-C3_N4_Bi_2MoO_6异质结光催化剂的光电化学性能研究 | 第45-47页 |
2.3.3 g-C_3N_4/Bi_2MoO_6异质结界面相互作用机制W及电荷迁移机制 | 第47-50页 |
2.4 结论 | 第50-51页 |
参考文献 | 第51-55页 |
第三章 g-C_3N_4/m-LaVO_4异质结増强的可见光催化性能的研究:基于能带偏移及多级异质结构的调控 | 第55-84页 |
3.1 引言 | 第55-57页 |
3.2 实验部分 | 第57-59页 |
3.2.1 g-C_3N_4光催化剂的制备 | 第57页 |
3.2.2 m-LaVO_4单体的制备 | 第57-58页 |
3.2.3 g-C_3N_4/m-LaVO_4异质结光催化剂的制备 | 第58页 |
3.2.4 测试表征仪器 | 第58页 |
3.2.5 光催化测试 | 第58-59页 |
3.2.6 光电化学测试 | 第59页 |
3.3 实验结果与讨论 | 第59-77页 |
3.3.1 g-C_3N_4样品的表征及光催化性能研究 | 第59-67页 |
3.3.2 g-C_3N_4/m-LaVO_4异质结催化剂的表征及光催化性能研究 | 第67-76页 |
3.3.3 g-C_3N_4/m-LaVO_4异质结光催化剂的光催化反应机理研究 | 第76-77页 |
3.4 本章小结 | 第77-78页 |
参考文献 | 第78-84页 |
第四章总结与展望 | 第84-86页 |
4.1 本论文的主要结论 | 第84页 |
4.2 本论文的创新点 | 第84-85页 |
4.3 展望 | 第85-86页 |
致谢 | 第86-87页 |
攻读硕士学位期间发表的论文 | 第87-88页 |
附件 | 第88页 |