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g-C3N4基复合光催化剂的制备及其性能研究

摘要第8-10页
ABSTRACT第10-11页
第一章 绪论第13-37页
    1.1 引言第13-14页
    1.2 半导体光催化的基本原理及发展历程第14-16页
    1.3 复合半导体光催化剂的研究现状第16-18页
    1.4 g-C_3N_4基复合光催化剂的研究现状第18-22页
        1.4.1 g-C_3N_4单体光催化剂简介第18-19页
        1.4.2 g-C_3N_4基复合光催化剂的研究现状第19-22页
    1.5 本文选题思路及主要研究内容第22-25页
        1.5.1 本论文的选题思想第22-23页
        1.5.2 本论文的研究内容第23-25页
    参考文献第25-37页
第二章 g-C_3N_4/Bi_2MoO_6异质结光催化剂的制备及増强的可见光光催化性能的实验与理论研究第37-55页
    2.1 引言第37-39页
    2.2 实验部分第39-41页
        2.2.1 g-C_3N_4Bi_2MoO_6异质结光催化剂的制备第39页
        2.2.2 测试表征仪器第39-40页
        2.2.3 光催化测试第40页
        2.2.4 光电化学测试第40页
        2.2.5 计算参数第40-41页
    2.3 结果与讨论第41-50页
        2.3.1 g-C_3N_4/Bi_2MoO_6异质结光催化剂的结构、化学组成、形貌及光学性能研究第41-45页
        2.3.2 g-C3_N4_Bi_2MoO_6异质结光催化剂的光电化学性能研究第45-47页
        2.3.3 g-C_3N_4/Bi_2MoO_6异质结界面相互作用机制W及电荷迁移机制第47-50页
    2.4 结论第50-51页
    参考文献第51-55页
第三章 g-C_3N_4/m-LaVO_4异质结増强的可见光催化性能的研究:基于能带偏移及多级异质结构的调控第55-84页
    3.1 引言第55-57页
    3.2 实验部分第57-59页
        3.2.1 g-C_3N_4光催化剂的制备第57页
        3.2.2 m-LaVO_4单体的制备第57-58页
        3.2.3 g-C_3N_4/m-LaVO_4异质结光催化剂的制备第58页
        3.2.4 测试表征仪器第58页
        3.2.5 光催化测试第58-59页
        3.2.6 光电化学测试第59页
    3.3 实验结果与讨论第59-77页
        3.3.1 g-C_3N_4样品的表征及光催化性能研究第59-67页
        3.3.2 g-C_3N_4/m-LaVO_4异质结催化剂的表征及光催化性能研究第67-76页
        3.3.3 g-C_3N_4/m-LaVO_4异质结光催化剂的光催化反应机理研究第76-77页
    3.4 本章小结第77-78页
    参考文献第78-84页
第四章总结与展望第84-86页
    4.1 本论文的主要结论第84页
    4.2 本论文的创新点第84-85页
    4.3 展望第85-86页
致谢第86-87页
攻读硕士学位期间发表的论文第87-88页
附件第88页

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