| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第10-26页 |
| 1.1 阻变存储器件概述 | 第10-18页 |
| 1.1.1 阻变存储器件的特性 | 第11-13页 |
| 1.1.2 阻变存储器件的类型 | 第13-14页 |
| 1.1.3 阻变存储器件的存储机理 | 第14-18页 |
| 1.2 阻变存储器件的制备与测试 | 第18-20页 |
| 1.2.1 阻变存储器件的制备 | 第18-20页 |
| 1.2.2 阻变存储器件的测试 | 第20页 |
| 1.3 石墨烯电阻变存储器件的研究现状与进展 | 第20-23页 |
| 1.4 本课题的研究内容与意义 | 第23-26页 |
| 2 实验部分 | 第26-31页 |
| 2.1 实验原料与仪器 | 第26-27页 |
| 2.1.1 实验原料与试剂 | 第26页 |
| 2.1.2 实验设备与仪器 | 第26-27页 |
| 2.2 材料与器件的制备 | 第27-29页 |
| 2.2.1 聚苯胺（PANI）的制备 | 第27页 |
| 2.2.2 磺化聚苯胺（SPANI）的制备 | 第27页 |
| 2.2.3 氧化石墨烯（GO）的制备 | 第27-28页 |
| 2.2.4 SPANI-GO分散液的制备 | 第28页 |
| 2.2.5 PANI-GO溶液的制备 | 第28页 |
| 2.2.6 器件的制备 | 第28-29页 |
| 2.3 材料与器件的表征 | 第29-31页 |
| 2.3.1 SPANI-GO和PANI-GO材料的表征 | 第29-30页 |
| 2.3.2 器件的性能表征 | 第30-31页 |
| 3 ITO/SPANI-GO/Al阻变存储器件 | 第31-46页 |
| 3.1 引言 | 第31页 |
| 3.2 结果与讨论 | 第31-44页 |
| 3.2.1 SPANI-GO材料的表征 | 第31-34页 |
| 3.2.2 ITO/SPANI-GO/Al存储器件的电流-电压性能 | 第34-39页 |
| 3.2.3 ITO/SPANI-GO/Al存储器件稳定性和持续性能 | 第39-41页 |
| 3.2.4 ITO/SPANI-GO/Al存储器件电压响应时间 | 第41页 |
| 3.2.5 ITO/SPANI-GO/Al存储器件机理研究 | 第41-44页 |
| 3.3 本章小结 | 第44-46页 |
| 4 ITO/PANI-GO/Al阻变存储器件 | 第46-56页 |
| 4.1 引言 | 第46页 |
| 4.2 结果与讨论 | 第46-55页 |
| 4.2.1 PANI-GO材料的表征 | 第46-48页 |
| 4.2.2 ITO/PANI-GO/Al存储器件电流-电压性能 | 第48-51页 |
| 4.2.3 ITO/PANI-GO/Al存储器件稳定性和持续性能 | 第51-52页 |
| 4.2.4 ITO/PANI-GO/Al存储器件电压响应时间 | 第52-53页 |
| 4.2.5 ITO/PANI-GO/Al存储器件机理研究 | 第53-55页 |
| 4.3 本章小结 | 第55-56页 |
| 5 总结与展望 | 第56-57页 |
| 5.1 总结 | 第56页 |
| 5.2 展望 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 个人简历 | 第65页 |
