| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第14-24页 |
| 1.1 锑化物材料基本性质 | 第14-16页 |
| 1.2 锑化物半导体激光器的研究现状 | 第16-20页 |
| 1.3 锑化物半导体材料和激光器研究中存在的问题 | 第20-22页 |
| 1.4 本论文主要研究内容 | 第22-24页 |
| 第二章 钝化技术和光栅微纳结构制备技术以及表征分析方法 | 第24-42页 |
| 2.1 钝化技术 | 第24-26页 |
| 2.2 光栅微纳结构制备技术 | 第26-29页 |
| 2.3 微区分析技术及应用 | 第29-41页 |
| 2.4 本章小结 | 第41-42页 |
| 第三章 锑化物材料含硫溶液湿法钝化技术研究 | 第42-66页 |
| 3.1 含硫溶液的选择 | 第42-43页 |
| 3.2 GaAs含硫溶液湿法钝化工艺的研究 | 第43-52页 |
| 3.3 GaSb含硫溶液湿法钝化工艺的研究 | 第52-57页 |
| 3.4 GaAsSb含硫溶液湿法钝化工艺的研究 | 第57-64页 |
| 3.5 本章小结 | 第64-66页 |
| 第四章 锑化物材料氮钝化技术研究 | 第66-86页 |
| 4.1 氮钝化技术方案 | 第66-68页 |
| 4.2 GaAs氮钝化工艺的研究 | 第68-77页 |
| 4.3 GaSb氮钝化工艺的研究 | 第77-83页 |
| 4.4 GaAsSb氮钝化工艺的研究 | 第83-85页 |
| 4.5 本章小结 | 第85-86页 |
| 第五章 锑化物材料光栅微纳结构研究 | 第86-100页 |
| 5.1 内置布拉格光栅微纳结构的设计模拟 | 第86-89页 |
| 5.2 内置布拉格光栅微纳结构的ICP刻蚀制备技术研究 | 第89-94页 |
| 5.3 引入氮钝化技术的内置布拉格光栅微纳结构研究 | 第94-98页 |
| 5.4 本章小结 | 第98-100页 |
| 结论 | 第100-102页 |
| 一、论文主要研究工作和结论 | 第100-101页 |
| 二、本论文的创新点 | 第101-102页 |
| 致谢 | 第102-103页 |
| 参考文献 | 第103-112页 |
| 攻读博士学位期间的学术成果和参与科研情况 | 第112-113页 |
