| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第12-21页 |
| 1.1 光电阴极概述 | 第12-13页 |
| 1.2 NEA GaN/GaAlN光电阴极 | 第13-14页 |
| 1.3 NEA GaN/GaAlN光电阴极的研究现状 | 第14-16页 |
| 1.4 NEA GaN/GaAlN光电阴极的应用 | 第16-18页 |
| 1.4.1 在紫外探测领域的应用 | 第16-17页 |
| 1.4.2 在真空电子源中的应用 | 第17-18页 |
| 1.5 本文研究的背景和意义 | 第18-19页 |
| 1.6 本文研究的主要工作 | 第19-21页 |
| 2 透射式GaN/GaAlN光电阴极材料光电性能测试与评价 | 第21-34页 |
| 2.1 引言 | 第21页 |
| 2.2 样品制备与实验方法 | 第21-22页 |
| 2.3 实验结果与讨论 | 第22-32页 |
| 2.3.1 结构特性 | 第22-29页 |
| 2.3.2 光学特性 | 第29-32页 |
| 2.4 本章小结 | 第32-34页 |
| 3 透射式GaN/GaAlN光电阴极组件光学性能测试与评价O | 第34-44页 |
| 3.1 引言 | 第34-35页 |
| 3.2 样品制备与实验方法 | 第35-37页 |
| 3.2.1 光电阴极衬底 | 第36页 |
| 3.2.2 光电阴极后界面势垒反射层(缓冲层) | 第36页 |
| 3.2.3 光电阴极外延材料(激活层) | 第36页 |
| 3.2.4 组件制备 | 第36-37页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第37-43页 |
| 3.3.1 透过率和反射率 | 第37-38页 |
| 3.3.2 掺杂浓度 | 第38-39页 |
| 3.3.3 少子扩散长度 | 第39-43页 |
| 3.4 本章小结 | 第43-44页 |
| 4 透射式GaN/GaAlN光电阴极组件表面测评研究 | 第44-62页 |
| 4.1 引言 | 第44-45页 |
| 4.2 样品制备与实验方法 | 第45-51页 |
| 4.2.1 X射线光电子能谱 | 第45-49页 |
| 4.2.2 光电阴极的化学腐蚀处理 | 第49-50页 |
| 4.2.3 光电阴极在超高真空腔室内的高温退火热清洗处理 | 第50-51页 |
| 4.2.4 光电阴极的离子刻蚀 | 第51页 |
| 4.3 实验结果与讨论 | 第51-61页 |
| 4.3.1 化学处理前的表面 | 第51-54页 |
| 4.3.2 化学处理对表面态的影响 | 第54-57页 |
| 4.3.3 热处理对表面态的影响 | 第57-59页 |
| 4.3.4 深度剖析 | 第59-61页 |
| 4.4 本章小结 | 第61-62页 |
| 5 结束语 | 第62-65页 |
| 5.1 本文工作总结 | 第62-63页 |
| 5.2 本文的创新点 | 第63页 |
| 5.3 有待进一步探索的问题 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-70页 |
| 附录 | 第70页 |
