| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第8-19页 |
| 1.1 非易失性存储器研究背景 | 第8-9页 |
| 1.1.1 非易失性存储器简介 | 第8-9页 |
| 1.1.2 非易失性存储器市场现状 | 第9页 |
| 1.2 新型非易失性存储器的分类与结构原理简介 | 第9-12页 |
| 1.2.1 铁电存储器(FeRAM) | 第9-10页 |
| 1.2.2 相变存储器(PRAM) | 第10-11页 |
| 1.2.3 磁阻存储器(MRAM) | 第11页 |
| 1.2.4 阻变存储器(PRAM) | 第11-12页 |
| 1.3 RRAM研究进展 | 第12-17页 |
| 1.3.1 电阻开关效应分类 | 第12-13页 |
| 1.3.2 具有阻变效应的材料体系 | 第13-15页 |
| 1.3.3 电阻开关的物理机制简介 | 第15-17页 |
| 1.4 本文的研究内容及意义 | 第17-19页 |
| 第二章 NiO_x薄膜的制备及微结构表征 | 第19-26页 |
| 2.1 NiO_x薄膜的制备与微观观测方法简介 | 第19-22页 |
| 2.1.1 射频磁控溅射原理简介 | 第19-20页 |
| 2.1.2 X射线衍射仪(XRD)原理简介 | 第20页 |
| 2.1.3 扫描电子显微镜(SEM)原理简介 | 第20-21页 |
| 2.1.4 透射电子显微镜(TEM)原理简介 | 第21页 |
| 2.1.5 X射线光电子能谱(XPS)原理简介 | 第21-22页 |
| 2.2 NiO_x薄膜的制备与微结构表征 | 第22-25页 |
| 2.2.1 NiO_x薄膜晶体结构的XRD观测与分析 | 第22-23页 |
| 2.2.2 NiO_x薄膜表面形貌的SEM观测与分析 | 第23-24页 |
| 2.2.3 薄膜横截面微结构HRTEM观测与分析 | 第24页 |
| 2.2.4 NiO_x薄膜成分的XPS观测与分析 | 第24-25页 |
| 2.3 本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 不同氧分压氛围沉积制备NiO_x薄膜磁性和电阻开关特性 | 第26-30页 |
| 3.1 不同氧分压沉积制备NiO_x薄膜的磁性测量与分析 | 第26-27页 |
| 3.2 Ag/NiO_x/Pt电容器结构的制备及电学性能测试 | 第27页 |
| 3.3 不同氧分压氛围制备的Ag/NiO_x/Pt电容器结构的电阻开关特性 | 第27-28页 |
| 3.4 20%氧分压沉积制备NiO_x薄膜隧穿电流机制探究 | 第28-29页 |
| 3.5 本章小结 | 第29-30页 |
| 第四章 扫描电压幅值对NiOx薄膜电阻开关特性的调控 | 第30-36页 |
| 4.1 实验方案及测试参数 | 第30页 |
| 4.2 不同扫描电压下Ag/NiO_x/Pt电容器结构的电阻开关特性 | 第30-32页 |
| 4.3 高/低扫描电压下Ag/NiO_x/Pt电容器结构隧穿电流物理机制探讨 | 第32-33页 |
| 4.4 高/低扫描电压下的Ag/NiO_x/Pt电容器结构电阻开关物理机制分析 | 第33-35页 |
| 4.5 本章小结 | 第35-36页 |
| 第五章 薄膜厚度对Ag/NiO_x/Pt电容器结构电阻开关特性的影响 | 第36-42页 |
| 5.1 薄膜沉积速率的标定 | 第36页 |
| 5.2 不同厚度NiO_x薄膜的电阻开关特性 | 第36-40页 |
| 5.2.1 20 nm NiO_x薄膜I-V曲线循环方向与循环稳定性 | 第37-38页 |
| 5.2.2 60 nm NiO_x薄膜I-V曲线循环方向与循环稳定性 | 第38页 |
| 5.2.3 20 nm NiO_x薄膜的电流隧穿机制研究 | 第38-40页 |
| 5.3 不同薄膜厚度下NiO_x薄膜的电阻开关机制研究 | 第40-42页 |
| 第六章 温度对Ag/NiO_x/Pt电容器存储单元电流-电压曲线的影响 | 第42-44页 |
| 6.1 20%氧分压沉积制备的20 nm NiO_x薄膜在不同测试温度下的I-V曲线分析 | 第42页 |
| 6.2 20%氧分压沉积制备的60 nm NiO_x薄膜在不同测试温度下的I-V曲线分析 | 第42-43页 |
| 6.3 本章小结 | 第43-44页 |
| 第七章 结论与展望 | 第44-46页 |
| 参考文献 | 第46-54页 |
| 硕士期间发表论文 | 第54页 |
| 参加学术活动情况 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55页 |
