| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第15-26页 |
| 1.1 Si_3N_4晶体结构 | 第15-16页 |
| 1.2 Si_3N_4陶瓷的制备工艺 | 第16-17页 |
| 1.2.1 常压烧结 | 第16页 |
| 1.2.2 热压烧结 | 第16页 |
| 1.2.3 气压烧结 | 第16-17页 |
| 1.3 Si_3N_4陶瓷的后加工技术与应用 | 第17页 |
| 1.4 Si_3N_4基导电陶瓷研究现状 | 第17-25页 |
| 1.4.1 Si_3N_4-MoSi_2陶瓷 | 第18-19页 |
| 1.4.2 Si_3N_4-TiC陶瓷 | 第19-20页 |
| 1.4.3 Si_3N_4-TiN陶瓷 | 第20-22页 |
| 1.4.4 Si_3N_4-TiCN陶瓷 | 第22-23页 |
| 1.4.5 Si_3N_4-TiB_2陶瓷 | 第23页 |
| 1.4.6 Si_3N_4-ZrB_2陶瓷 | 第23-25页 |
| 1.5 研究意义和研究内容 | 第25-26页 |
| 第二章 实验方法、设备与性能表征 | 第26-31页 |
| 2.1 实验设备 | 第26页 |
| 2.2 实验原材料 | 第26-27页 |
| 2.3 性能表征与分析方法 | 第27-31页 |
| 2.3.1 密度 | 第27-28页 |
| 2.3.2 维氏硬度 | 第28页 |
| 2.3.3 断裂韧性 | 第28页 |
| 2.3.4 抗弯强度 | 第28-29页 |
| 2.3.5 电阻率 | 第29-31页 |
| 第三章 超细ZrB_2粉体合成及其对Si_3N_4基陶瓷性能的影响 | 第31-39页 |
| 3.1 引言 | 第31页 |
| 3.2 实验过程 | 第31-33页 |
| 3.2.1 ZrB_2粉体合成 | 第31-32页 |
| 3.2.2 Si_3N_4-ZrB_2陶瓷制备 | 第32-33页 |
| 3.2.3 测试与分析 | 第33页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第33-38页 |
| 3.3.1 新型硼热还原法合成超细ZrB_2粉体 | 第33-36页 |
| 3.3.2 Si_3N_4-ZrB_2陶瓷的致密度和相组成分析 | 第36-37页 |
| 3.3.3 Si_3N_4-ZrB_2陶瓷的显微结构和电阻率分析 | 第37-38页 |
| 3.4 本章小结 | 第38-39页 |
| 第四章 Si_3N_4-ZrB_2陶瓷的制备与性能研究 | 第39-50页 |
| 4.1 引言 | 第39页 |
| 4.2 实验过程 | 第39-41页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第41-48页 |
| 4.3.1 Si_3N_4-ZrB_2陶瓷的物相分析 | 第41-43页 |
| 4.3.2 Si_3N_4-ZrB_2陶瓷致密度和显微结构 | 第43-47页 |
| 4.3.3 Si_3N_4-ZrB_2陶瓷的力学性能和电阻率 | 第47-48页 |
| 4.4 本章小结 | 第48-50页 |
| 第五章 具有三维网络结构的Si_3N_4-ZrB_2陶瓷制备与性能研究 | 第50-55页 |
| 5.1 引言 | 第50页 |
| 5.2 实验过程 | 第50-51页 |
| 5.2.1 原料和样品制备 | 第50-51页 |
| 5.2.2 测试与分析 | 第51页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第51-54页 |
| 5.3.1 物相分析 | 第51-52页 |
| 5.3.2 显微结构分析 | 第52-54页 |
| 5.3.3 电阻率分析 | 第54页 |
| 5.4 本章小结 | 第54-55页 |
| 总结 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-64页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第64-66页 |
| 致谢 | 第66页 |
