| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 目录 | 第6-9页 |
| 引言 | 第9-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| 1.1 Ⅲ族氮化物研究概述 | 第11-15页 |
| 1.1.1 Ⅲ族氮化物的发展历程 | 第11-12页 |
| 1.1.2 Ⅲ族氮化物的结构及理化性质概述 | 第12-14页 |
| 1.1.3 In_xGa_(1-x)N材料光电性能概述 | 第14-15页 |
| 1.2 In_xGa_(1-x)N薄膜的制备 | 第15-18页 |
| 1.2.1 In_xGa_(1-x)N薄膜制备的常用方法 | 第15-17页 |
| 1.2.2 溶胶-凝胶法在制备In_xGa_(1-x)N薄膜中的应用 | 第17-18页 |
| 1.3 In_xGa_(1-x)N材料的应用 | 第18-20页 |
| 1.3.1 In_xGa_(1-x)N紫外探测器 | 第18-19页 |
| 1.3.2 In_xGa_(1-x)N太阳能电池 | 第19-20页 |
| 1.4 本文主要研究内容 | 第20-21页 |
| 第二章 实验方案与样品表征 | 第21-33页 |
| 2.1 引言 | 第21页 |
| 2.2 实验仪器及药品 | 第21-22页 |
| 2.3 工艺流程 | 第22-26页 |
| 2.3.1 前驱体溶液的制备 | 第22-23页 |
| 2.3.2 陈化 | 第23页 |
| 2.3.3 衬底选择与衬底清洗 | 第23-24页 |
| 2.3.4 薄膜的涂镀 | 第24-25页 |
| 2.3.5 预处理 | 第25页 |
| 2.3.6 高温氨化 | 第25-26页 |
| 2.4 测试与表征技术 | 第26-28页 |
| 2.4.1 物相分析仪 | 第26-27页 |
| 2.4.2 扫描电子显微镜(SEM) | 第27页 |
| 2.4.3 光致发光谱(PL谱) | 第27页 |
| 2.4.4 霍尔测试(hall) | 第27-28页 |
| 2.5 GaN与InN的溶胶-凝胶制备 | 第28-32页 |
| 2.5.1 GaN薄膜的制备与表征 | 第28-30页 |
| 2.5.2 InN薄膜的制备与表征 | 第30-32页 |
| 2.6 本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 In_xGa_(1-x)N材料的制备与表征 | 第33-51页 |
| 3.1 引言 | 第33页 |
| 3.2 In_xGa_(1-x)N纳米粉体的制备与表征 | 第33-37页 |
| 3.2.1 石墨粉对实验结果的影响分析 | 第34-35页 |
| 3.2.2 前驱体溶液PH值对实验结果的影响分析 | 第35-36页 |
| 3.2.3 不同x值对产物的影响分析 | 第36-37页 |
| 3.3 In_xGa_(1-x)N纳米薄膜的制备与表征 | 第37-50页 |
| 3.3.1 实验过程 | 第37-38页 |
| 3.3.2 氨化时间对产物的影响分析 | 第38-43页 |
| 3.3.3 氨化温度对产物的影响分析 | 第43-46页 |
| 3.3.4 不同x值对产物的影响分析 | 第46-48页 |
| 3.3.5 In_xGa_(1-x)N薄膜的光电表征 | 第48-50页 |
| 3.4 本章小结 | 第50-51页 |
| 第四章 微量Mg~(2+)离子掺杂In_xGa_(1-x)N薄膜的制备与表征 | 第51-57页 |
| 4.1 引言 | 第51页 |
| 4.2 Mg~(2+)离子掺杂中出现的问题及解决办法 | 第51-53页 |
| 4.3 实验过程 | 第53-55页 |
| 4.3.1 样品的XRD表征 | 第53-54页 |
| 4.3.2 样品的EDS表征 | 第54-55页 |
| 4.4 微量Mg~(2+)掺杂In_xGa_(1-x)N薄膜电学性能测试 | 第55-56页 |
| 4.4.1 未退火时样品hall测试 | 第55页 |
| 4.4.2 退火后样品hall测试 | 第55-56页 |
| 4.5 本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 总结与展望 | 第57-59页 |
| 5.1 工作总结 | 第57-58页 |
| 5.2 展望 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-65页 |
| 攻读硕士期间取得的科研成果 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67页 |
